Трипута Геннадій Олександрович

Номер патенту: 14091

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Трипута Геннадій Олександрович

МПК: H01L 21/302

Мітки: обробки, реактор, іонно-плазмової

Формула / Реферат:

Реактор для ионно-плазменной обработки, содержащий вакуумную камеру, в которой соосно размещены разрядные электроды в виде кольца и диска с обрабатываемым изделием, подключенные к независимым источникам ВЧ-напряжения и раз­деленные промежуточным заземленным электро­дом, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и снижения загряз­нения поверхности изделия, он снабжен дополни­тельными электродами в виде диска,...

Номер патенту: 6722

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Трипута Геннадій Олександрович, Кругленко Михайло Петрович, Семенюк Валерій Федорович, Хоменко Павло Хомич

МПК: C23C 14/32

Мітки: пристрій, іонно-плазмового, матеріалів, травлення

Формула / Реферат:

(57) Устройство для ионно-плазменного травления материалов, содержащее вакуумную камеру, у торцов которой по оси камеры размещены плоские электроды, на одном из которых размещено обрабатываемое изделие, электроды подключены к источникам высокочастотного напряжения и разделены заземленным сетчатым экраном, отличающееся тем, что оно снабжено электромагнитной катушкой, расположенной соосно с камерой со стороны электрода, противолежащего...

Номер патенту: 5642

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Трипута Геннадій Олександрович, Хоббіхожин Шаміль Абдурахмановіч, Гурін Анатолій Андрійович, Хоменко Павло Хомич, Семенюк Валерій Федорович

МПК: H01L 21/302, C23C 14/02

Мітки: іонно-плазмової, пристрій, обробки

Формула / Реферат:

(57) Устройство для ионно-плазменной обра­ботки, содержащее вакуумную камеру, в ко­торой размещены разрядные электроды, подключенные к двум независимым источ­никам ВЧ-напряжения и разделенные промежуточным заземленным электродом с от­верстием, при этом обрабатываемое изде­лие размещено на одном из разрядных электродов напротив отверстия промежу­точного электрода, отличающееся тем, что оно снабжено дополнительным элект­родом, размещенным на...

Номер патенту: 172

Опубліковано: 30.04.1993

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Трипута Геннадій Олександрович

МПК: H01L 21/26

Мітки: обробки, спосіб, іонно-плазмової

Формула / Реферат:

1. Способ ионно - плазменной обработки в скрещен­ных ВЧ электрическом и постоянном магнитном полях, включающие удаление материала с обрабатываемого изделия под действием заряженных и нейтральных частиц плазмы в условиях замагниченности электродов wне/nен>1, где wне - электронная циклотронная часто­та для минимального значения индукции магнитного поля, neн - частота упругих столкновений электронов с нейтральными частицами.отличающиися тем,...