Високочастотне джерело іонів

Изобретение относится к области получения пучков ионов и может быть использовано для обработки матэриалоз в вакууме при производстве изделий • ^'^троэлектроники. Целью изобретения является повышение экономичности источника путем уменьшения потерь ионов, вносимых электродами-сетками ионно-оптической системы (КОС), повышение стабильности параметров v срока службы источника и чистоты обработки материалов з а счет исключения из него катода-нейтрализатора и электродовсеток ИОС, находящихся под постоянным потенциалом. Источник содержит диэлектрическую разрядную камеру \, ВЧ-индук?ор 2, охватывающий камеру снаружи, источник 3 ВЧ-напряжеиия, потенциальный электрод 4, расположенный в камере и подключенный через разделительную емкость 5 к источнику ВЧ-напряжения, заземленный электродсетку 6, отделяющий объем'камеры от области транспортировки пучка, причем площадь потенциального электрода 4 больше площади электрода-сетки. 1 нл. СЛ о СО 21-90 1570549 : . 4 верстия в ней в область транспортировИзобретение относится к области ки в виде параллельного пучка ионов.' получения скомпенсированных по току Ток пучк.а при этом ограничивается и объемному заряду ионных пучков в, прозрачностью только одной, в данном вакууме и мЬжет быть использовано случае заземленной, сетки-электрода. для обрабоч^и изделий в вакууме ионаБлагодаря наличию в цепи электрода 4 ми инертный и химически активных гаразделительной емкости 5 постоянный зов при производстве изделий микроток в цепи электродов через плазму электроники. отсутствует. Разделение разноименных Целью изобретения являетеч 'овы10 •Царядов в ускоряющем ионы ВЧ диодном шение экономичности источи"'.ка гутем ^ре,' следоват'едьно, не происходит, и уменьшения потерь ионов, внеемьх с в .класть транспортировки поступает электродами-сетками ионно-оптиче''s J# системы (ИОС), повышение стабіи.Ьь (_.СОМП(Л^сированный электронами плазмы параметров источника, срока его по тоїА и объемному заряду пучок бы и чистоты обработки материалов ионов. скольку И С источника ионов' О за счет исключения из него катодасодержи- ЇОЛЬКО один заземленный нейтрализатора, а также подвергающих?лектрод-се т к ^* а благодаря соотнося тепловым деформациям и электришению площаде1" электро г->в источника ческим пробоям электродов-сеток И0€в ионов на его пов^„ со стороны находящихся под постоянным потенциалов плазмы сосредоточена оС1 в Н а я часть и установленных на изоляторах в вакустационарного падения пь г уме. . > диодной природы, енгааются ; потери Ч 4TbI На чертеже представлена общая схема риов при прохождении И С и 3aTj? О источника ионов. ;!5 ощности на их ускорение, т.е-, ловы" ается экономичность источника. Бл,а-" Источник состоит из диэлектричес--. ••одагл отсутствию в источнике, ионов кой разрядной камеры 1, ВЧ-индуктора альных электродов—сеток ИОСГ 2, охватывающего снаружи камеру, ВЧг ленных на изоляторах в вакууме, геїзератора (не показан), питающего ..тсутс зует нестабильность параметров индуктор, источника 3 ВЧ-напряжения, гсточн