Елемент ректени
Номер патенту: 3817
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Шокало Володимир Михайлович, Река Юрій Васильович, Щербина Олександр Олексійович, Лучанінов Анатолій Іванович
Формула / Реферат
Элемент ректенны, содержащий излучатель с подключенным к его выходным клеммам диодом Шоттки, нагрузку и фильтр четных гармоник, включенный между нагрузкой и диодом Шоттки и выполненный в виде четвертьволнового отрезка линии передачи с подключенным на его конце блокировочным конденсатором, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и упрощения конструкции, элемент ректенны выполнен в виде микрополосковой конструкции, при этом излучатель выполнен в виде микрополосковой антенны прямоугольной формы с размером стороны 1=0,5l1, где l1 - длина волны в диэлектрике подложки на частоте первой гармоники, причем выходные клеммы микрополосковой антенны размещены на ее продольной оси и смещены относительно края антенны к ее центру на расстояние 11 = 0,5 (1 - l3), где l3 - длина волны в диэлектрике подложки на частоте третьей гармоники, а в месте подключения четвертьволновой микрополосковой линии к выходным клеммам антенны выполнены пазы, прилегающие к ее кромкам, на глубину, равную 11, и ширину, равную половине ширины проводника четвертьволновой микрополосковой линии, а ширина диэлектрической подложки выбрана из условия h ³ 0,052 l1.
Текст
Изобретение относится к радиотехнике и предназначено для использования в системах беспроводной передачи энергии. Цель изобретения - повышение надежности и упрощение конструкции. Элемент ректенны содержит излучатель 1, подключенный к его выходным клеммам, диод 3 Шоттки, нагрузку 4, фильтр 5 четных гармоник, который состоит из четвертьволнового отрезка (ЧВО) линии 6 передачи и блокировочного конд-ра 7. Для достижения цели излучатель 1 выполнен в виде ' микрополосковой антенны прямоугольной формы г размером стороны 1=0,5 0,052^4. Повышенная надежность и простота конструкции достигаются благодаря выполнению элемента ректенны в микрополосковой конструкции, т.е. без навесных элементов. 2 ил. СП •ч 5-89 1 1457761 Изобретение относится к радиотехнике и предназначено для использования в системах беспроводной передачи энергии. Целью изобретения является повышение надежности и упрощение конструкции. На фиг. 1 приведена структурная схема элемента ректенны; на фиг. 2 t o разрез А-А на фиг, 1. Элемент ректенны содержит микрополосковый излучатель 1, подключенный к его выходным клеммам 2 f диод 3 Шоттки, нагрузку 4, фильтр 5 чет15 ных гармоник, который состоит из четвертьволнового отрезка линии 6 передачи и блокировочного конденсатора 7. Элемент ректенны работает следующим образом. 20 элемента ректенны реализуется при выборе толщины диэлектрической подложки из условия h£-0,052 длины волны в диэлектрике подложки на частоте первой гармоники. Повышенная надежность и простота конструкции при сохранении высокого КПД элемента ректенны достигаются благодаря его выполнению в микрополосковой конструкции, т.е. без навесных элементов. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Элемент ректенны, содержащий излучатель с подключенным к его выходным клеммам диодом Шоттки, нагрузку и фильтр четных" гармоник, включенный между нагрузкой и диодом Шоттки и выполненный в виде четвертьволнового отрезка линии передачи с подключенным на его конце блокировочным конденсатором, о т л и ч а ю щ и й с я •Тем, что, с целью повышения надежности и упрощения конструкции, элемент ректенны "выполнен в виде микрополосковой конструкции, при этом излучатель выполнен в виде микрополосковой антенны прямоугодьной формы с, размером стороны 1=0,5^4» где /U -' , длина волны в диэлектрике подложки на частоте первой гармоники, причем выходные клеммы микрополосковой антенны размещены на ее продольной оси и смещены относительно края антенны к ее центру на расстояние 1 4 =0,5(1-Aj) , где 7U - длина волны в диэлектрике подложки на частоте третьей гармоники, а в месте подключения четвертьволновой микрополосковой линии к выходным клеммам антенны выполнены пазы, прилегающие к ее кромкам, на глубину, равную 1^, и ширину, равную половине ширины проводника четвертьволновой микрополосковой линии, а ширина диэлектрической подложки выбра Напряжение, наводимое падающим полем на клеммах 2 микрополоскового излучателя 1, частично преобразуется с помощью диода 3 Шоттки в постоянный ток, выделяемый в нагрузке 4, На 25 диоде 3 также образуется напряжение высших гармоник. На частотах четных гармоник излучение резко ослабляется, благодаря закорачивающему действию . фильтра 5 четных гармоник, включен- ЗО ного между диодом 3 и нагрузкой 4. Ослабление излучения на частоте третьей, наиболее интенсивной, гармоники достигается путем снижения входного сопротивления микрополоскового излучателя 1 в точке подключения дио- 35 да 3 на частоте третьей гармоники. Это обеспечивается за счет смещения клемм 2 микрополосковой .антенны 1 относительно края к ее центру на 40 расстояние 1 4 =О,5(1-7іь), где Т\ъ~ длина волны в диэлектрике подложки на частоте третьей гармоники, а также выполнения пазов в месте подключения четвертьволновой микрополосковой ли45 нии 6 на глубину, равную 1^, и ширину, равную половине ширины проводника' четвертьволновой микрополосковой на из условия h £»0,052JU. линии 6. Повышенное значение КПД А-А 1457761 Редактор Г.Наджарян Составитель О.Трошко Техред А.Кравчук Корректор Э.Лончакова Заказ 182/ДСП Тираж 385 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент"» г, Ужгород, ул. Гагарина,101 о
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюRectenna element
Автори англійськоюLuchaninov Anatolii Ivanovych, Reka Yurii Vasyliovych, Shokalo Volodymyr Mykhailovych, Scherbyna Oleksandr Oleksiiovych
Назва патенту російськоюЭлемент ректенны
Автори російськоюЛучанинов Анатолий Иванович, Река Юрий Васильевич, Шокало Владимир Михайлович, Щербина Александр Алексеевич
МПК / Мітки
МПК: H01Q 25/00
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-3817-element-rekteni.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Елемент ректени</a>
Попередній патент: Відцентровий млин
Наступний патент: Спосіб підготовки вугільної шихти до коксування
Випадковий патент: Штам bovinae herpesvirus-1 "bhv-1/bull-canada/kiyv/2007" для виробництва вакцин і діагностикумів проти інфекційного ринотрахеїту врх