Пристрій для визначення координат джерела випромінювання

Пристрій визначення координат джерела випромінювання, що містить напівпровідникову структуру, виконану із шарів із різним типом провідності, оснащених електродами, попарно нанесеними на кожен шар, підключені до кожного електрода блоки реєстрації та обробки сигналів і джерело напруги, який відрізняється тим, що напівпровідникові шари структури розділені діелектричним шаром, товщина напівпровідникового шару, що опромінюється першим, вибрана із умови D - товщина напівпровідникового шару, що опромінюється першим, а - коефіцієнт поглинання випромінювання в даному напівпровідниковому шарі, k - відношення ефективності перетворення випромінювання напівпровідникового шару, що опромінюється першим, до ефективності перетворення випромінювання напівпровідникового шару, що опромінюється другим, щонайменше один із шарів напівпровідникової структури виконано з аморфного, полікристалічного або рекристалізованого кремнію, напівпровідникові шари оснащені електродами, причому перший електрод кожного шару підключено до відповідного виходу джерела напруги, а другий - до ВІДПОВІДНОГО блока реєстрації і обробки сигналів ,де Корисна модель відноситься до галузі автоматики та вимірювальної техніки, зокрема, до автоматичних систем вимірювання координат і систем управління об'єктами, що рухаються Відомий фотоелектронний пристрій для визначення координат джерела випромінювання [авторське свідоцтво СРСР №168471, МПК GO1C, H04N, БИ, 1965, №4], в якому діафрагми виконано в формі прямокутного трикутника, катети якого орієнтовано відносно координатних осей В цьому пристрої визначення координат проводиться шляхом розгортки електронного зображення джерела випромінювання в двох взаємно перпендикулярних напрямках Аналог Вказаний пристрій має низьку точність визначення координат, значний часовий дрейф і чутливість до зовнішнього фону та температури Крім того, відомий пристрій для визначення координат (прилад типу S1300, Position Sensitive Detektors, каталог фірми Hamamatsy (Японія), 1985, с 9-14, який містить напівпровідникову структуру, виконану з шарів із різним типом провідності, оснащених електродами, попарно нанесеними на кожен шар, підключених до кожного електроду блоки реєстрації та обробки сигналів і джерело напруги В цьому пристрої визначення координат джерела випромінювання відбувається шляхом реєстрації поздовжніх фотострумів, що виникають в напівпровідниковій структурі при локальному опроміненні і перетворенні величини фотострумів в координати [Lucovsky G, Photoeffects in nonuniformly irradiated p-n Junction, Journal of Applied Physics, Vol31, №6, 1960, pp 1088-1095)] Прототип Однак для даного пристрою характерна низька координатна чутливість до положення зображення джерела випромінювання (менше 10мВ/мм при потужності випромінення 1мВт) призводить до необхідності додаткового використання малошумних попередніх підсилювачів, а також обмежує область застосування пристрою В основу даної корисної моделі поставлено задачу вдосконалення пристрою для визначення координат джерела випромінювання шляхом підвищення координатної чутливості і розширення області застосування при одночасному забезпеченні зниження вартості пристроїв за рахунок дешевшої плівкової технологи виготовлення Поставлена задача вирішується тим, що пристрій для визначення координат джерела випромінювання, реалізується за допомогою напівпровідникової структури, виконаної з шарів із різним типом провідності, оснащених електродами, попарно нанесеними на кожен шар, підключені до кож СО О) 6730 ного електроду блоки реєстрації та обробки сигналів і джерело напруги, в якому згідно корисної моделі напівпровідникові шари структури розділені діелектричним шаром, товщина напівпровідникового шару, що опромінюється першим, вибрана із умови D