Елемент надпровідникового переходу джозефсона

Реферат: Елемент надпровідникового переходу Джозефсона, в якому на нижньому електроді розташовано феромагнітний нижній електрод, утворений шаром феромагнетика, що лежить на нижньому електроді, нижній шар бар'єра, утворений частиною поверхні феромагнітного нижнього електрода, шар надпровідника, що лежить на нижньому шарі бар'єра, верхній шар бар'єра, утворений частиною поверхні шару надпровідника, феромагнітний верхній електрод, утворений шаром феромагнетика, що лежить на верхньому шарі бар'єра. UA 73331 U (12) UA 73331 U UA 73331 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до елементів надпровідникового переходу Джозефсона, зокрема до тих, які формують надпровідниковий перехід Джозефсона для виготовлення на його основі надшвидкодіючих електронних пристроїв для цифрової обробки електричних сигналів. Відомий елемент надпровідникового переходу Джозефсона, описаний у патенті США US 20100006825 А1, опублікованому 14 січня 2010 року. Елемент надпровідникового переходу містить нижній електрод, утворений шаром надпровідника, шар бар'єру, верхній електрод, утворений надпровідником. При цьому шар бар'єра утворений частиною поверхні нижнього електроду, верхній електрод, утворений надпровідником і покриваючий шар бар'єру, надпровідниковий перехід є утвореним нижнім електродом, шаром бар'єра та верхнім електродом. Густина критичного струму надпровідникового переходу контролюється на базі площини нижнього електроду. Одним із основних недоліків цього пристрою є відсутність можливості створення керованих станів надпровідникового елементу, таких як -стан (0-стану). В основу корисної моделі, що пропонується, поставлена задача забезпечити можливість створення керованих станів надпровідникового елементу, таких як -стан (0-стану) шляхом удосконалення елементу надпровідникового переходу Джозефсона за рахунок введення нових елементів, певним чином пов'язаних з відомими, що дозволяє забезпечити технічний результат. Технічний результат досягається тим, що в елементі надпровідникового переходу Джозефсона, що включає нижній електрод, утворений шаром надпровідника, шар бар'єру, верхній електрод, утворений надпровідником, згідно корисної моделі на нижньому електроді розташовано феромагнітний нижній електрод, утворений шаром феромагнетику, що лежить на нижньому електроді, нижній шар бар'єру, утворений частиною поверхні феромагнітного нижнього електроду, шар надпровідника, що лежить на нижньому шарі бар'єру, верхній шар бар'єру, утворений частиною поверхні шару надпровідника, феромагнітний верхній електрод, утворений шаром феромагнетику, що лежить на верхньому шарі бар'єру. Сукупність ознак корисної моделі, що заявляється, дозволяє забезпечити можливість створення керованих станів надпровідникового елементу, таких як -стан (0-стану) шляхом удосконалення елементу надпровідникового переходу Джозефсона за рахунок введення нових елементів, певним чином пов'язаних з відомими. Тобто запропонована корисна модель дозволяє розширити галузь застосування елементу на провідникового переходу Джозефсона за рахунок використання в пристроях його -стану. Крім того, можливість реалізації в елементі надпровідникового переходу Джозефсона нового стану - -стану (0-стану) - додатково до всіх відомих станів елементу надпровідникового переходу Джозефсона також сприяє покращенню відношення сигнал-шум елементу надпровідникового переходу Джозефсона принаймні вдвічі. Суть корисної моделі пояснюється кресленням, де зображена структурна схема елементу надпровідникового переходу Джозефсона, що заявляється. У пристроях на основі елементу надпровідникового переходу Джозефсона в звичайному 0стані при умові, що орієнтації шарів феромагнетиків є антипаралельними, а також додатково до цього перебування елементу надпровідникового переходу Джозефсона (елементу гібридного надпровідниково-феромагнітного переходу) в новому -стані при умові, що орієнтації шарів феромагнетиків є паралельними. Під дією зовнішнього магнітного поля вищеописаний елемент перемикається із 0-стану до -стану і навпаки. Корисна модель може знайти широке застосування в приладобудівній галузі, а саме в елементах надпровідникового переходу Джозефсона для перемикання надпровідникового переходу Джозефсона із струмового 0-стану до -стану і навпаки, та може бути використаним для виготовлення на його основі надшвидкодіючих електронних пристроїв для цифрової обробки електричних сигналів. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ Елемент надпровідникового переходу Джозефсона, що включає нижній електрод, утворений шаром надпровідника, шар бар'єра, верхній електрод, утворений надпровідником, який відрізняється тим, що на нижньому електроді розташовано феромагнітний нижній електрод, утворений шаром феромагнетика, що лежить на нижньому електроді, нижній шар бар'єра, утворений частиною поверхні феромагнітного нижнього електрода, шар надпровідника, що лежить на нижньому шарі бар'єра, верхній шар бар'єра, утворений частиною поверхні шару надпровідника, феромагнітний верхній електрод, утворений шаром феромагнетика, що лежить на верхньому шарі бар'єра. 1 UA 73331 U Комп’ютерна верстка Л.Литвиненко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2