Патенти з міткою «джозефсона»

Номер патенту: 104982

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Шатернік Антон Володимирович, Шаповалов Андрій Петрович, Шатернік Володимир Євгенович, Новіков Микола Васильович

МПК: H01L 39/22

Мітки: спосіб, створення, переходу, джозефсона

Формула / Реферат:

Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, шару бар'єра у вигляді аморфної напівпровідникової плівки кремнію, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту...

Номер патенту: 86442

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Шаповалов Андрій Петрович, Шатернік Володимир Євгенович, Пріхна Тетяна Олексіївна, Новіков Микола Васильович, Шатернік Антон Володимирович

МПК: H01L 39/22, H01L 39/00

Мітки: переходу, джозефсона, спосіб, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту заряду, а як матеріал верхнього електрода використовують...

Номер патенту: 73331

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Шатернік Володимир Євгенович, Горб Василь Миколайович, Мірошніков Анатолій Миколайович

МПК: H01L 39/22

Мітки: елемент, надпровідникового, джозефсона, переходу

Формула / Реферат:

Елемент надпровідникового переходу Джозефсона, що включає нижній електрод, утворений шаром надпровідника, шар бар'єра, верхній електрод, утворений надпровідником, який відрізняється тим, що на нижньому електроді розташовано феромагнітний нижній електрод, утворений шаром феромагнетика, що лежить на нижньому електроді, нижній шар бар'єра, утворений частиною поверхні феромагнітного нижнього електроду, шар надпровідника, що лежить на нижньому...

Номер патенту: 22453

Опубліковано: 25.04.2007

Автор: Шатернік Володимир Євгенович

МПК: H01L 39/22

Мітки: надслабкої, надпровідності, джозефсона, ефектом, перехід

Формула / Реферат:

Перехід Джозефсона з ефектом надслабкої надпровідності, що містить підкладку, на якій знаходяться перший та другий надпровідні шари, розділені шаром діелектрика, який відрізняється тим, що підкладка є пластиною із кремнію, на який нанесений шар діелектрика, причому перший шар надпровідника має на поверхні тонкий шар товщиною в кілька атомних шарів з істотно заглушеною надпровідністю.

Номер патенту: 33068

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Коваленко Олександр Володимирович, Кісілюк Олександр Олексійович, Мойсеєв Володимир Констянтинович, Погоричний Олексій Борисович

МПК: H01Q 23/00, H01L 39/22, H01P 5/00 ...

Мітки: пристрій, надширокосмуговий, переходом, джозефсона, нвч

Текст:

...звужується по довжині, виконана на полімерній, наприклад, полпмідніи, плівці, електри чна товщина якої значно менше чверті довжини найкоротшої робочої електромагнітної хвилі, та всіановлена у порожнині навантаження вздовж його осі таким чином, що кінець плівки з виводами аніени проходить крізь отвір у вершині порожнини та притиснутий до зовнішньої площинної поверхні навантаження, в якій є поздовжня канавка, що має переріз більший, ніж...