Керуємий мдп-резистор

УПРАВЛЯЕМЫЙ МДП-РЕЗИСТОР по а в т . ев* № 724005, о т л и ч а ю щ и й с я тем, ч т о , с целью расширения диапазона регулирования, сплошной резистивный слой имеет зигзагообразную форму, а управляющий электрод выполнен секционным. с 9 (Л с оо СО со 35 Фигі 849936 Изобретение относится к микроИ з о б р е т е н и е ПОЯСНЯеТСЯ ЧРрТ(ЗЖОМ1 электронике, а именно к управляемым где на фиг. 1, 2, 3 даны примеры полупроводниковым резисторам, и моконкретного выполнения устройства жет быть использовано в системах по изобретению. дистанционного и автоматического Устройство содержит полупроводрегулирования, системах связи никовую подложку 1 одного типа прои др. водимости, область второго типа Известен управляемый МДП-реэиспроводимости 2, контакты 3, 4, уптор tl}, содержащий полупроводникоравляющий электрод 5, 6. 10 вую подложку одного типа проводиВеличина сопротивления управлямости, сформированные в ней области емого МДП-резистора при подключении второго типа проводимости с контакнапряжения питания к контактам 3, тами и область канала между ними, 4, определяется областью 2, а также диэлектрик, покрывающий область карегулируемым сопротивлением каналов нала и управляющий электрод на нем, • 15 проводимости под электродами 5, 6. причем области второго типа проводимости выполнены в виде сплошного реДля расширения нижнего предела «истивного слоя, шунтирующего канал. регулирования управляемого МДП-резистора область второго типа провоОднако недостатком такого резисдимости может иметь низкоомные тора является небольшой диапазон 20 участки 7. регулирования. Кроме того, для резисМДП-резистор по изобретению обторов с номинальным сопротивлением ладает ступенчатой регулировкой соболее 1 кОм увеличиваются размеры противления, благодаря чему имеет резисторов, что приводит к неэффективному использованию площади под25 возможности регулирования крутизны функции R » VCUj). Величина сопроложки . тивления управляемого реэисторд, Целью настоящего изобретения являдиапазон регулирования, крутизна .ется расширение диапазона регулихарактеристики, плавность и линейрования. Поставленная цель достигается 30 ность регулирования определяются как конструктивными, так и технолотем, что в известном управляемом гическими факторами: выбором геометМДП-рёзисторе, содержащем полурических размеров и формы диффузипроводниковую подложку одного типа онного МДП-резистора, канала провопроводимости, сформированные в ней димости, удельного сопротивления области второго типа проводимости 35 диффузионного слоя, толщины подзатс контактами и область канала между ворного диэлектрика и его структуры. ними, диэлектрик, покрывающий область канала и управляющий электрод на Управляемый МДП-реэистор по изобнем, области второго типа проводиретению, обладающий расширенным диамости выполнены в виде сплошного ре- 40 пазоном регулирования сопротивлезистивного слоя шунтирующего канала, ния, может найти разнообразное примепри этом сплошной реэистивный слой нение в схемах радиоэлектронной аппаимеет зигзагообразную Лорму, а упратуры в качестве регулируемого элеравляющий электрод выполнен секмента. ционным . 849936 Фиг 2 Фі/г.З Составитель Т. Воронежцева Редактор_А. Кантананина_ Техред_М. Кузьма Корректор Ю. Макаренко. Заказ 371/ДСП Тираж 598 Подписное ВН1ЇИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35» Раушская наб.» д . 4/5 Филиал П П "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная» 4 П