Hапівпровідhиковий теhзоперетворювач

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕІІ30ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в которой сформирован тензорезистор второго типа проводимости с решеткой типа меандр, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, 2030% площади тензорезистора выполнено в виде управляемого резистора с запоминающей структурой, расположенного со стороны одного из выводов тензорезистора. 00 о 1243480 2 Изобретение относится к измериструктурой 3 инверсионный слой неостельной технике, а именно к средстновных носителей. При приложении навам контроля механических величин пряжения питания к резистору в диффуэлектрическими методами с использозионном и инверсионном слоях протекаванием тензорезисторных измерительют токи. Сопротивление инверсионного 5 ных преобразователей, и может быть канала проводимости шунтирует сопроиспользовано для измерений физичестивление части диффузионной области ких величин. тензорезистора 2, в результате чего номинальное сопротивление тензорезисЦелью изобретения является рас13 гора плавно уменьшается. Диапазон ширение функциональных возможностей регулирования сопротивления инверситензопреобразователя путем введения онного слоя, а следовательно, и тенв него запоминающей структуры, поззорезистора определяется как техноволяющей регулировать величину его логическими, так и конструктивными сопротивления. На чертеже дана схема полупровод- 15 факторами: структурой и геометрическими размерами подзатзорного диэлекникового тензопреобразователя. трика, количеством каналов проводиТензопреобразователь содержит плаи м мости, амплитудой и длительностью ~ стину 1 из полупроводника первого пульсного управляющего напряжения, типа проводимости, тензорезистор 2 с решеткой типа меандр, который сфор- 2 о Подгонка величины сопротивления тенмирован в пластине из полупроводнизорезистора осуществляется импульсака второго типа проводимости, запоми положительной и отрицательной попинающую структуру 3, выполненную по лярности достаточной амплитуды и длитипу металл-нитрий-окисел-полупроводтельности, подаваемыми на электрод 4, ник (МНОП), электрод 4 затвора запо- 25 Для снижения степени влияния инминающий структуры, контактные окна версионной составляющей тока на ста5» предназначенные для включения тентическую характеристику тензорезистозорезистора в схему измерения, и тора с запоминающей структурой выполнековедущие дорожки 6 для соединения но 20-30% площади тензорезистора, а тензорезисторов в схему моста. запоминающая структура расположена Полупроводниковый тензорезистор со стороны одного из выводов тензоработает следующим образом. резистора. Через контактные окна 5 тензореПолупроводниковый тензопреобразозистор включают в схему измерения. ватель изготавливают следующим обПри приложении механических напряжеразом. 35 ний вдоль длинной стороны меандра На поверхности пластины 1 типа решетка тензорезистора деформируется, кремний КЭФ-5,5 с плоскостью ориенчто приводит к изменению сопротивлетации (100), предварительно прошедния тензорезистора 2, которое регисішей механическую и химическую обрарируется внешней схемой. ботку, выращивают слой защитного, 40 маскирующего окисла толщиной d=0,5Для регулировки начальной величи0,8 мкм. Методами фотолитографии ны сопротивления тензорезистора осувскрывают окна в слое окисла и проществляют следугоїцие операции. водят диффузию бора для получения На электрод 4 запоминающей структензорезистора 2. Проведя фотолитотуры 3 относительно пластины 1 подают импульсы положительной полярности. 45 графию и удалив толстый окисел под областью управляемого резистора, Амплитуда управляющего напрял ения 35формируют МНОП-структуру 3. Подзат50 Б. Минимальная длительность импульворный диэлектрик МНОП-структуры сов управляющего напряжения 1 мкс. содержит пленку окисла кремния толИмпульсы положительной полярности приводят к * туннелированига электронов 50 щиной 15-50 А и пленку нитрида кремния толщиной 500-1000 А. из кремния через "тонкий" окисел и накапливанию их на ловушечных уровнях Пленку окисла кремния получают в на границе раздела SiO 2 - Si^N^ запоатмосфере сухого кислорода при 900°С, минающей структуры. После с-.чтия упПленку нитрида кремния осаждают из равляющего напряжения захваченный от- 55 тетрахлорида кремния или моносилана, рицательный заряд сохраняется на ловодорода и аммиака при 800-1200°С. вушках и индуцирует в приповерхностМетодами фотолитографии вскрывают ной области кремния под запоминающей окна 5,затем осаждают слой алюминия * З 1243480 4 толщиной 0,8-1 мкм и формируют элекволяет расширить его функциональные трод 4 затвора запоминающей структувозможности, так как начальное сопроры и дорожки 6. тивление тензорезистора изменяется без монтажных операций, значение коВыполнение части тензорезистора * торого сохраняется неограниченное в виде управляемого сопротивления время. Это снижает трудоемкость бас запоминающей МНОП-структурой позлансировки тенэорезисторных мостов. 1 * Составитель В.Занкин Редактор М.Стрельникова Техред М.Ходанич Корректор А.Ференц Заказ 632/ДСП Тираж 632 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретении и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-Полиграфическое предприятие,г.Ужгород,ул.Проектная,4