Hапівпровідhиковий прилад

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе МДГТ-структуры, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформи рованы локальные высоколегированные области с контактами, ограничивающие область канала, две из которых расположенные на противоположных сто^ ронах канала имеют второй тип проводимости и изолированный з а т в о р , о т л и ч а ю щ и й с я тем, ч т о , с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и линеаризации е г о , высоколегированные области, р а с положенные вдоль границы канала, имеют также второй тип проводимости, а контакт к высоколегированным о б ластям явпяется общим и выполнен в , виде сплошного резистивного слоя. І 00 о •со 00 Фиг 1 807 928 1 Изобретение относится к области вом приборе на основе МДП-структуры, микроэлектронной техники, в частноссодержащем полупроводниковую подложти к управпяемнм полупроводниковым ку первого типа проводимости, в которезисторам и может быть использоварой сформированы локальные высоконо в системах дистанционного и а в т о - 5 легированные области с контактами матического регулирования, системах ограничивающие область канала, две связи и др. из которых расположенные на противоположных сторонах канала имеют втоИзвестен управляемый МДЛ-резистор» рой тип проводимости и изолированный содержащий полупроводниковую подложку одного типа проводимости, сфорЮ з а т в о р , области расположенные вдоль границы канала имеют также второй мированные в ней области второго титип проводимости контакт к высокопа проводимости с контактами и облегированным областям является общим ласть канала между ними, диэлектрик, и выполнен в чиде сплошного резиспокрывающий канал, и управляющий электрод на нем, а область второго 15 тивного слоя. типа проводимости выполнена в виде На Фиг, 1 дан вид сверху; на сплошного рез истинного слоя, шунфиг, 2 разрез по А-А где полупроводтирующего канап £i ] , никовая подложка - 1 , локальные высоОднако, при изготовлении низкоомных регулируемых сопротивлений до де-20 сятков Ом т а к о й к о н с т р у к ц и и в о з н и к а ет необходимость у в е л и ч е н и я л е г и р о в а ния сплошного р е з и с т и в н о г о с л о я , шунтирующего к а н а л проводимости з а т в о р а в Окисел, выращенный н а д сильно л е 25 тированными областями р е з и с т и в н о г о сплошного с л о я , х а р а к т е р и з у е т с я п о вышенной плотностью дефектов и п о р и с тостью ступеньки о к и с л а , выращенного над границей между областями крем-зо ния с разным типом п р о в о д и м о с т и , ч т о д е л а е т наиболее вероятным э л е к т ронный пробой д и э л е к т р и к а над этими областями„ Наиболее близким по т е х н и ч е с к о й 35 сущности к у с т р о й с т в у по и з о б р е т е нию я в л я е т с я полупроводниковый п р и бор на основе МИД-структуры, содержащий полупроводниковую подложку п е р вого типа п р о в о д и м о с т и , в которой 40 сформированы локальные в ы с о к о л е г и рованные о б л а с т и с к о н т а к т а м и , о г р а ничивающими о б л а с т ь к а н а л а , д в е и з которых расположенные на п р о т и в о п о ложных с т о р о н а х к а н а л а имеют в т о 45 рой тип проводимости и изолированный з а т в о р С?- ]» Однако т а к о й прибор не о б е с п е ч и в а е т широкий д и а п а з о н р е г у л и р о в а н и я сопротивления, ' 50 Целью и з о б р е т е н и я я в л я е т с я расширение д и а п а з о н а р е г у л и р о в а н и я с о п р о тивления и л и н е а р и з а ц и и е г о 0 П о с т а в л е н н а я цель д о с т и г а е т с я т е м , ч т о в и з в е с т н о м полупроводнико- _5 колегированные области 2 , 3 , А, 5 изолированный затвор - 6, контакт 7, высокоаегированным областям, электрод затвора 8 , подзатвСрный диэлектрик 9, область канала 10, Величина сопротивления полупроводникового прибора при подключении напряжения питания к областям 2, 4 определяется сплошным резистивным слоем контакта - 7, Роль резистивного элемента с р е гулируемым сопротивлением выполняет канал проводимости между областями 2и4, При подключении напряжения к областям 3 , 5 уменьшается расстояние между этими областями, увеличивается ширина канала, это приводит к уменьшению последовательного сопротивления канала и увеличению крутизны вольтамперной характеристики, а следовательно расширению диапазона регулирования сопротивления. Максимальное сопротивление управляемого МТП-резистора предлагаемой конструкции может достигать значений десятков Ом, минимальное - единицы Ом и ограничивается допустимыми в е личинами токов и напряжений в цепи резистора, а также предельной допустимой мощностью рассеивания. Устройство по изобретению найдет применение в различных схемах радиоэлектронной аппаратуры в качестве прецизионного регулируемого элемента, имеющего малые массы и габариты, высокую надежности 807 928 A-A Фиг. 2 Составитель Т. Вороненцева ££2Е_ _Те х р s з^^ї^Ка с тел еви ч Корректор И. Эрдейи^ Заказ~612/ДСП ~ Тираж~622 * " Подписное В И Т И Государственного комитета СССР Н ИТ по делам изобретений и открытий Филиал ГОШ "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4