Напівпровідниковий конструктивний елемент
Номер патенту: 46173
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Шайтер Томас, Віллер Йозеф, Фон Бассе Пауль-Вернер
Формула / Реферат
1. Напівпровідниковий конструктивний елемент, що складається із напівпровідникового корпусу (1), на якому розміщений структурований проміжками шар (5),
- пасивувальне покриття, що складається із щонайменше двох нанесених один на інший подвійних пасивувальних шарів (6, 7, 8, 9), яке покриває структурований шар (5) на поверхні напівпровідникового корпусу (1) і заповнює проміжки у структурованому шарі (5),
- в якому кожен із подвійних пасивувальних шарів утворений двома пасивувальними шарами, виконаними із різних діелектричних матеріалів, який відрізняється тим, що
- щонайменше найбільш віддалений від напівпровідникового корпусу (1) подвійний пасивувальний шар (8, 9) з рівномірною товщиною нанесений на вирівняну поверхню попереднього подвійного пасивувального шару (6, 7).
2. Напівпровідниковий конструктивний елемент за п. 1, який відрізняється тим, що подвійний пасивувальний шар (6, 7) містить пасивувальний шар (6) із оксиду і пасивувальний шар (7) із нітриду.
3. Напівпровідниковий конструктивний елемент за п. 1 або 2, який відрізняється тим, що структурований шар (5) є шаром металізації, нанесеним на щонайменше один діелектричний шар, нанесений на поверхню напівпровідникового корпусу (1).
4. Напівпровідниковий конструктивний елемент за п. 3, який відрізняється тим, що шар металізації утворює електропровідні доріжки ємнісного вимірювального датчика відбитків пальців, а найвіддаленіший від шару металізації подвійний пасивувальний шар (8, 9) має поверхню, що утворює поверхню дотикання для кінчика пальця.
Текст
/5 С* IdijueA^ • Lt- & Ъ. " ґ
ДивитисяДодаткова інформація
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/314, G06K 9/00, G06T 1/00, A61B 5/117
Мітки: напівпровідниковий, елемент, конструктивний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/6-46173-napivprovidnikovijj-konstruktivnijj-element.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Напівпровідниковий конструктивний елемент</a>
Конструктивний елемент для будівництва споруд
Номер патенту: 12346
Опубліковано: 28.02.1997
Автори: Хайнц Демен, Пауль Райхартц, Дімітріс Папаніколаоу
МПК: E04B 1/348
Мітки: споруд, конструктивний, будівництва, елемент
Формула / Реферат:
(57) 1. Конструктивный элемент для строительства зданий, включающий несущую армированную плиту, расположенную горизонтально, опертую по углам на вертикальные стойки и жестко с ними соединенную, отличающийся тем, что арматура установлена с образованием выпусков на нижней поверхности плиты, которая снабжена опорами, расположенными по ее углам с совмещением их верхней поверхности с нижней поверхностью плиты, соединенными с арматурой последней и...
Напівпровідниковий перетворювач сонячної енергії в електричний струм
Номер патенту: 313
Опубліковано: 30.04.1999
Автори: Живов Михайло Давидович, Мороз Юрій Віталійович, Дубина Віктор Григорович
МПК: H01M 10/42, H01L 31/00
Мітки: перетворювач, струм, енергії, сонячної, електричний, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий перетворювач сонячної енергії в електричний струм, що містить лицьову панель у вигляді набору напівпровідникових елементів і клавіш керування, встановлених в корпусі, забезпеченому підпором для орієнтації на джерело світлової енергії, який відрізняється тим, що лицьова панель виконана у формі набору з'ємних напівпровідникових модулів.2. Напівпровідниковий перетворювач сонячної енергії в електричний струм за п. 1,...
Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю
Номер патенту: 41770
Опубліковано: 17.09.2001
Автори: Солодовнік Анатолій Іванович, Макашов Валерій Федорович, Олішевський Олександр Степанович, Рибак Роман Йосипович, Павлинів Ярослав Ілліч
МПК: H01L 29/00
Мітки: високою, термодинамічною, напівпровідниковий, прилад, силовий, стійкістю
Формула / Реферат:
1. Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю, що містить корпус, утворений з керамічного кільця і тонких металевих манжет, що з'єднують його з двома струмопровідними електродами, між якими знаходяться випрямний елемент, який складається з напівпровідникової структури та одного або двох термокомпенсаторів, і контактні прокладки, а також центруюче ізоляційне кільце, який відрізнясться тим, що центруюче ізоляційне...
Напівпровідниковий датчик вологості
Номер патенту: 33118
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Елена Володимирівна, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01N 5/00
Мітки: вологості, датчик, напівпровідниковий
Текст:
...введена пасивна індуктивність, друге джерело постійної напруги живлення, резистор і конденсатор, причому затвор першого польового транзистора через обмежувальний резистор з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із стоком другого польового транзистора, витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзистора з'єднаний із стоком першого...
Напівпровідниковий вимірювач температури
Номер патенту: 33405
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Кравчук Наталія Сергійовна, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01K 7/00
Мітки: температури, напівпровідниковий, вимірювач
Текст:
...на пере творення температури в частоту у запропонованому, причому затвор першого польового транзистора через термочуїливий опір з'єднаний з пертим полюсом першого джерела напруги, а другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із стоком другого польового транзистора, при цьому витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзис тора з'єднаний із стоком першого польового транзистора, до якого...
Попередній патент: Реактивне сопло турбореактивного двигуна
Наступний патент: Пристрій для двостадійного відновлювання тонкоподрібненої залізної руди у псевдозрідженому шарі та спосіб відновлення з використанням такого пристрою
Випадковий патент: Система підґрунтового зрошення