H01L 21/314 — з неорганічних речовин
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію
Номер патенту: 101023
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович
МПК: H01L 21/268, H01L 21/314
Мітки: ненагрівний, n+-кремнію, спосіб, виготовлення, контакту, омічного
Формула / Реферат:
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...
Напівпровідниковий конструктивний елемент
Номер патенту: 46173
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Віллер Йозеф, Фон Бассе Пауль-Вернер, Шайтер Томас
МПК: G06T 1/00, G06K 9/00, A61B 5/117 ...
Мітки: елемент, напівпровідниковий, конструктивний
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий конструктивний елемент, що складається із напівпровідникового корпусу (1), на якому розміщений структурований проміжками шар (5),- пасивувальне покриття, що складається із щонайменше двох нанесених один на інший подвійних пасивувальних шарів (6, 7, 8, 9), яке покриває структурований шар (5) на поверхні напівпровідникового корпусу (1) і заповнює проміжки у структурованому шарі (5),- в якому кожен із...