Напівпровідниковий чіп із захисним покриттям
Формула / Реферат
1. Напівпровідниковий чіп із захисним покриттям, який містить схеми, реалізовані у щонайменше одному шарі напівпровідникової підкладки і розміщені у щонайменше одній групі схем, а також щонайменше один електропровідний захисний шар (SL), розміщений щонайменше над однією з таких груп схем і електрично з'єднаний щонайменше з однією зі схем (1, 2), який відрізняється тим, що підкладка містить щонайменше один захисний датчик (SS), виконаний таким чином, що він здатний енергонезалежно запам'ятовувати стан, а детектувальний вивід захисного датчика (SS) з'єднаний з електропровідним шаром (SL) або щонайменше з одним із електропровідних шарів, а вихідний вивід захисного датчика (SS) з'єднаний зі щонайменше однією зі схем (2) таким чином, що він здатний блокувати нормальне функціонування схеми, якщо на виході захисного датчика присутній певний енергонезалежний рівень.
2. Напівпровідниковий чіп за п. 1, який відрізняється тим, що захисний датчик (SS) утворений щонайменше одним транзистором (Т1, Т2), що має порівняно з транзисторами схем дуже тонкий оксидний шар затвора, і вивід затвора транзистора (Т1, Т2) з'єднаний з електропровідним захисним шаром (SL).
3. Напівпровідниковий чіп за п. 1, який відрізняється тим, що захисний датчик виконаний у вигляді енергонезалежної запам'ятовуючої комірки, утвореної розміщеними по обидва боки від канальної області у напівпровідниковій підкладці дифузійними областями витоку і стоку (10, 11), а також повністю ізольованим, щонайменше частково розміщеним поверх канальної області електродом (12) затвора і двома, розміщеними поверх ізольованого електрода (12) затвора, керувальними електродами (14, 15) затворів, причому один із керувальних електродів (15) утворює детектувальний вивід, а другий керувальний електрод (14), а також дифузійні області (10, 11) з'єднані зі схемою оцінки (AWS).
4. Напівпровідниковий чіп за п. 3, який відрізняється тим, що ізольований електрод (12) затвора попередньо заряджений позитивним чи негативним зарядом.
5. Напівпровідниковий чіп за п. 4, який відрізняється тим, що в разі кількох захисних датчиків різні ізольовані електроди (12) затворів попередньо заряджені різними зарядами.
6. Напівпровідниковий чіп за одним із попередніх пунктів, який відрізняється тим, що щонайменше одна із схем містить детектувальну схему (КОМ), з'єднану з вихідним виводом захисного датчика (SS).
Додаткова інформація
Назва патенту англійськоюSemiconductor chip with a conductive protective layer
Назва патенту російськоюПолупроводниковая интегральная схема с электропроводным защитным слоем
МПК / Мітки
МПК: H01L 23/58
Мітки: напівпровідниковий, захисним, чіп, покриттям
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/7-55555-napivprovidnikovijj-chip-iz-zakhisnim-pokrittyam.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Напівпровідниковий чіп із захисним покриттям</a>
Напівпровідниковий конструктивний елемент
Номер патенту: 46173
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Віллер Йозеф, Шайтер Томас, Фон Бассе Пауль-Вернер
МПК: G06T 1/00, G06K 9/00, H01L 21/314, A61B 5/117
Мітки: конструктивний, елемент, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий конструктивний елемент, що складається із напівпровідникового корпусу (1), на якому розміщений структурований проміжками шар (5),- пасивувальне покриття, що складається із щонайменше двох нанесених один на інший подвійних пасивувальних шарів (6, 7, 8, 9), яке покриває структурований шар (5) на поверхні напівпровідникового корпусу (1) і заповнює проміжки у структурованому шарі (5),- в якому кожен із...
Дуттьова фурма з захисним покриттям та спосіб нанесення захисного покриття на зовнішню поверхню дуттьової фурми
Номер патенту: 45466
Опубліковано: 15.04.2002
Автори: ЗОТОВ Олексій Володимирович, ДЮБІН Валерій Юрьйович, МАКІЄНКО Володимир Григорович, Лупандін Георгій Степановіч, АГАРКОВ Віктор Якович
МПК: B22D 19/02, B22D 19/08, C21B 7/16
Мітки: дуттьова, поверхню, зовнішню, фурма, покриття, дуттьової, захисним, захисного, нанесення, спосіб, фурми, покриттям
Формула / Реферат:
1. Дуттьова фурма з захисним покриттям на робочій частині зовнішньої поверхні, яка вміщує внутрішній та зовнішній стакани, з'єднані по кінцях фланцем та носовою частиною, захисне покриття якої складається з внутрішнього металевого та зовнішнього керамічного шарів, яка відрізняється тим, що внутрішній шар захисного покриття складає 0,4 - 1,2 товщини стінки зовнішнього стакана фурми, і який виконано композитним із чавуну з сталевою арматурою та...
Посуд чавуновий з захисним покриттям та спосіб його виготовлення
Номер патенту: 56079
Опубліковано: 15.04.2003
Автор: Сонкін Олександр Леонідович
МПК: A47J 37/00, A47J 27/00, B21J 5/00
Мітки: спосіб, захисним, посуд, виготовлення, чавуновий, покриттям
Формула / Реферат:
1. Посуд чавуновий з захисним покриттям, який відрізняється тим, що захисне покриття виконане з оксиду заліза Fe3О4 і має рівномірний чорний колір.2. Спосіб виготовлення чавунового посуду, який включає лиття чавуну в кокіль, видалення литників, задирок, обдирки й шліфування поверхні, який відрізняється тим, що після операції обдирки та шліфування поверхня посуду підлягає піскоструменевій обробці, потім її нагрівають до температури...
Спосіб хіміко-термічної обробки відливків “білого” чавуну на ковкий чавун з захисним антикорозійним покриттям у ендогазовій атмосфері печі відпалу
Номер патенту: 32359
Опубліковано: 15.12.2000
Автори: Третяк Борис Серафімович, Ніколаєв Віктор Миколайович, Дорошенко Михайло Маркіянович, Лянной Віль Андрійович
Мітки: атмосфери, білого, обробки, відпалу, відливків, захисним, спосіб, ковкий, антикорозійним, чавун, хіміко-термічної, печі, чавуну, ендогазовій, покриттям
Формула / Реферат:
1. Спосіб хіміко-термічної обробки відливків "білого" чавуну на ковкий чавун з захисним антикорозійним покриттям у ендогазовій атмосфері печі відпалу, який полягає в тому, що відливки "білого" чавуну відпалюють у печі протягом декількох годин і на відливках формують поверхневі шари, отримані шляхом азотування у ендогазовій атмосфері, що містить кисень, водень, діоксид вуглецю, оксид вуглецю, метан та азот, який...
Напівпровідниковий нвч фазообертач
Номер патенту: 34250
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Ковальчук Олександр Миколайович, Семеренко Михайло Михайлович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
МПК: H01P 1/18
Мітки: нвч, напівпровідниковий, фазообертач
Текст:
...2, до стоку якого підключено резистор навантаження 3. Перший затвор польового транзистора 2 з'єднаний з емітером біполярною транзистора 4, живлення якого здійснюється через розділяючу індуктивність 5, яка послідовно з'єднана з джерелом напруги 6, паралельно якому підключена розділяюча ємність 7. В базу біполярного транзистора включено резистор 8, який регулює величину струму емітерного кола біполярного транзистора. Колектор біполярного...
Попередній патент: Спосіб ємнісного знімання зображення
Наступний патент: Спосіб придбання електронних даних із застосуванням носія даних і відповідний носій даних
Випадковий патент: Спосіб удобрення сільськогосподарських культур відходами азбестоцементного шиферу