Алманіт

АЛМАНІТ - монокристали карбіду кремнію, який відрізняється тим, що використовують мо 3 19071 4 високому вакуумі (10-5-10-6мм рт. ст.) при темперарюють голкоподібні піраміди. турі біля 2000°С. Вирощування монокристалів карбіду кремнію, В названому прототипі для отримання великої який включає сублімацію карбіду кремнію із парів кількості кристалів використовують зародок, який карбіду кремнію, включає розміщення посудинирозміщується і закріплюється на стороні касети, синтезатора, всередині якої випаровується карбід зверненої до внутрішньої поверхні синтезатора. кремнію, в вакуумній камері, нагрівання посудиниСуттєвими недоліками такого способу і присинтезатора в вакуумі, а в нижній частині посудини строю для його реалізації є те, що при розрощурозміщують тигель з розплавом кремнію, який наванні монокристалів алманіту навколо них росте і грівають до температури випаровування кремнію. фон із полікристалічного карбіду кремнію, що знаСинтезатор виготовлений із графіту високої чисточно ускладнює виймання монокристалів із касет. ти, зверху закривається щільно кришкою, так, щоб Технічне завдання - створення способу вировихід парів кремнію або карбіду кремнію із посудищування монокристалів карбіду кремнію АЛМАНІни синтезатора був мінімальним. Температура ТУ, та пристрою для його здійснення, шляхом висинтезатора не перевищує 2000°С, а всередині рощування монокристалів карбіду кремнію прямим синтезатора витримується співвідношення Тс>Ткр синтезом з кремнію і вуглецю, з використанням >Твк, де надлишкових парів кремнію, досягнення керованоТс - температура на стінках синтезатора, Ткр го вирощування одночасно великої кількості монотемпература кристалізації, Твк - температура викристалів карбіду кремнію бажаного політипу та паровування кремнію. Вакуум в процесі роботи заданих якісних показників, та створення пристрою підтримується в межах 10-4-10-6мм рт. ст. для здійснення вказаного способу, шляхом викоСинтезатор і тигель з розплавом кремнію в ристання однієї робочої зони без перезавантапроцесі росту кристалів обертають довкола осі для жень, добитися високих показників по чистоті і забезпечення рівномірного нагрівання по всій якості монокристалів. окружності синтезатора. АЛМАНІТ - це монокристали особливо чистого Пристрій для реалізації способу включає синкарбіду кремнію із вмістом домішок 5х1015тезатор, у вигляді циліндричної труби, в нижній 5x1016cм-3, який має біля основи грань у вигляді частині синтезатора розміщено тигель з кремнієм, багатогранника (наприклад, шестигранника, харакзверху синтезатор щільно закривають кришкою, терного для політипу 6Н і багато дзеркальних градля того щоб при нагрівання вихід парів із синтеней, розташованих під різними кутами до осі росту затора був мінімальним. кристалу, причому ці кути поступово збільшуються З метою вирощування кристалів алманіту без до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого, фона, а також для простого і легкого виймання кристали приймають різноманітні форми - форму кристалів із касет достатньо повернути касети накулі, форму яйця, і інші, які вирощують в глибоковколо основи на 180° так, щоб зародки дивились у му вакуумі (10-5-10-6мм рт. ст.) центр синтезатора. Поставлене технічне завдання вирішується Промислове застосування: способом вирощування монокристалів карбіду Спосіб вирощування кристалів АЛМАНІТУ та кремнію АЛМАНІТУ, який полягає у тому, що мопристрій для здійснення способу розроблені автонокристали карбіду кремнію вирощують із особлирами на підприємстві ТОВ "Інститут матеріалів во чистих кремнію і вуглецю (вміст домішок не електронної техніки" в м. Києві. більше 1х1016см-3, причому кремній використовуТехнічний результат - створено спосіб вироють у вигляді розплаву, нагрітого до температури щування монокристалів карбіду кремнію АЛМАНІвипаровування (1750°С), а вуглець у вигляді граТУ, досягнено керованого вирощування одночасно фіту з якого виготовлені всі деталі синтезатора, великої кількості (>1000шт.) монокристалів карбіду кришка синтезатора, кристалізатор і тигель з розкремнію діаметром до 10мм і такої ж товщини, без плавом кремнію, нагрітих до температури синтезу фону, бажаного політипу та заданих якісних показ(біля 2000°С) карбіду кремнію, при цьому для фоників, досягнуто високих показників по чистоті і рмування зародків в заданих місцях на внутрішній якості монокристалів. поверхні синтезатора механічним шляхом ство Комп’ютерна верстка Л. Купенко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601