Янішин Ігор Борисович

Номер патенту: 22257

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: пристрій, кремнію, полікристалічного, карбіду, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування полікристалічного карбіду кремнію, що складається із синтезатора, тигля, нагрівального елемента, який відрізняється тим, що синтезатор виконано у вигляді двох циліндрів однакової висоти, у нижній частині синтезатора розміщено тигель, в об’ємі синтезатора поміщені вертикально і горизонтально касети, зверху синтезатор закритий кришкою з отворами, причому синтезатор з тиглем, пластинами всередині і кришкою зверху...

Номер патенту: 22256

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: кремнію, вирощування, алманіту, пристрій, карбіду, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію, що містить кристалізатор і затравку, який відрізняється тим, що кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6мм рт.ст.),...

Номер патенту: 22255

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/02

Мітки: кремнію, карбіду, вирощування, монокристалів, спосіб, алманіту

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію, що включає  вирощування монокристалів карбіду кремнію із кремнію і вуглецю, який відрізняється тим, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1х1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка синтезатора,...

Номер патенту: 19072

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: карбіду, спосіб, вирощування, полікристалічного, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування полікристалічного карбіду кремнію, який включає прямий синтез кремнію і вуглецю, які розташовані в квазізамкнутому об'ємі, виготовленому із графіту, який розташований в нагрівачі високотемпературної печі, який відрізняється тим, що для одержання полікристалічного карбіду кремнію високої чистоти джерелом кремнію є високочистий кремній, розташований в тиглі, виготовлений із ізостатичного графіту високої щільності і чистоти, а...

Номер патенту: 19071

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: алманіт

Формула / Реферат:

АЛМАНІТ - монокристали карбіду кремнію, який відрізняється тим, що використовують монокристали особливо чистого карбіду кремнію із вмістом домішок 5х1015-5х1016 см-3, який має біля основи грань у вигляді багатогранника (наприклад, шестигранника, характерного для політипу 6Н) і багато дзеркальних граней, розташованих під різними кутами до осі росту кристала, причому ці кути поступово збільшуються до 90°, а потім зменшуються, в результаті чого,...

Номер патенту: 16279

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Янішин Ігор Борисович

МПК: C30B 15/00

Мітки: напівпровідникових, сполук, спосіб, нанесення, покриттів

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення покриттів із напівпровідникових сполук, які складаються із рідкофазного компонента і компонента, що не має рідкої фази, таких як карбід кремнію, карбід бору, нітрид кремнію, що включає випаровування рідкофазного компонента у вакуумі при нагріванні його в замкнутому об’ємі синтезатора, який виготовлений із компонента, що не має рідкої фази, в якому має місце синтез напівпровідникової сполуки біля внутрішньої поверхні...