Патенти з міткою «а(нижній»
Спосіб виготовлення омічних контактів до діодних структур на основі напівпровідникових сполук типу а(нижній індекс 3) в(нижній індекс 5)
Номер патенту: 16578
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович
МПК: H01L 21/28
Мітки: основі, а(нижній, омічних, напівпровідникових, типу, структур, контактів, в(нижній, діодних, сполук, спосіб, виготовлення, індекс
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления омических контактов к диодным структурам на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 с p-n-переходом, включающий подготовку поверхности структуры, химическое осаждение металла на структуру, вжигание его и осаждение слоя никеля, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм, сошлифовывают диффузионный слой со стороны n-типа, в качестве химически осаждаемого металла...