Спосіб виготовлення омічних контактів до діодних структур на основі напівпровідникових сполук типу а(нижній індекс 3) в(нижній індекс 5)

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при изготовлении омических контактов к р- и п-областям приборов Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при иэсотовлении омических контактов к р- и п-областям приборов на основе соединений типа А3В5. Целью изобретения является упрощение способа. Диодную структуру на основе арсенида и фосфида галлия, состоящую из подложки п-типа с концентрацией основных носителей 10 -10 см" и эпитаксиальмого слоя р-типа толщиной 10-30 мкм с концентрацией основных носителей 10 1 7 -10 1 8 см" 3 отмывают и обезжиривают по стандартной технологии и передают на операцию диффузии цинка. Процесс диффузии проводят в запаянной кварцевой ампуле при остаточном дав7-91 на основе соединений типа А.3В5 Цель изобретения ~ упрощение способа В диодную структуру на основе арсенида или фосфида галлия проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм при температуре 953-993 К (арсенид галлия) и 1053-1093 К (фосфид галлия) в течение 300 с. После проведения диффузии локально химически осаждают слой никеля т о л щ и н о й около 1 м к м После осаждения никеля проводят вжигание в вакууме при давлении 1-10 Па при температуре 803-843 К в течение 240-480 с Далее формируют омический контакт к п-слою, проводя вжигание никеля при температуре 723-773 К Суммарное приведенное сопротивление омических контактов находится в пределах (1-5) '10" Ом -см , что не уступает характеристикам многослойных омических контактов 2 з п. ф-лы, 1 табл лении газов 1-Ю Па Во избежание эрозии поверхности структуры процесс диффузии ведут при противодавлении паров мышьяка или фосфора соответственно для арсенида галлия и фосфида галлия. Поверхностная концентраций цинка составляет ( 2 4) -10 19 с м 3 и достигается при длительности диффузии около 300 с при температуре 953993 К для арсенида галлия и 1053-1093 К для фосфида галлия. Глубина диффузии цинка в зависимости от температуры изменяется в пределах 1-3 мкм После проведения диффузии структуры сошлифовывают со стороны подложки п-типа на всю глубину диффузии, после чего обезжиривают в бидистиллированной воде 1630567 Покрывают эпитаксмальный слой химически стойким лаком и осаждают на поверхность п-подложки слой никеля толщиной около 1 мкм из раствора, содержащего 3% NICI2" 6Н 2 О; 1 % N a H 2 P O 2 ' Н 2 О; 6,5% Н3С6Н5О7; 5% NH4CI. В раствор добавляют нашатырный спирт до перехода окраски раствора из зеленой в синюю. Осаждение проводят при температуре 363-373 К в присутствии алюминия, используемого в качестве катализатора, в течение 180 с. После осаждения никеля с р-слоя структуры удаляют лак и осуществляют отжиг в вакууме при давлении 1-10 Па. В процессе отжига структуры располагают на графитовой лодочке, температуру которой поддерживают на заданном уровне. Затем в аналогичной последовательности формируют омический контакт к р-слою структуры. Режимы вжигания никеля в р-слой не влияют на характеристики омического контакта к п-слою, сформированного ранее. После вжигания проводят дополнительное осаждение слоя никеля, необходимого для присоединения выводов. Полученные структуры контролируют по величине суммарного приведенного сопротивления. Результаты реализации способа, приведенные в таблице, свидетельствуют о том, что полученные омические контакты по своим характеристикам не уступают многослойным омическим контактам 5 Формула изобретения 1. Способ изготовления омических контактов к диодным структурам на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 с 10 p-n-переходом, включающий подготовку поверхности структуры, химическое осаждение металла на структуру, вжигание его и осаждение слоя никеля, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения способа, 15 проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм, сошлифовывают диффузионный слой со стороны п-типа, в качестве химически осаждаемого металла используют никель, вжигание его в слой п-типа 20 проводят при температуре 803-843 К, а в слой р-типа - при температуре 723-773 К в течение 240-480 с. 2. Способ п о п 1 . о т л и ч а ю щ и й с я 25 тем, что диффузию цинка в структуры на основе арсенида галлия проводят при температуре 953-993 К. 3. Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что в структуры на основе фосфида гал30 лия диффузию цинка проводят притемпературе 1053-1093 К. Режимы формированиеі омических контактов к диодным структурам Но- Материал струк- Толщи- Глубимер туры на рна прислоя, дифмера мкм фузии цинка. мкм 1 Арсенид галлия 10 1 2 10 1 3 Арсенид галлия 20 2 Л —' _ 20 7 5 Арсенид галлия 30 3 6 30 3 7 Фосфид галлия 'ю 1 8 _'_ 10 1 9 Фосфид галлия 20 2 10 _' _ 20 2 11 Фосфид галлия 30 3 12 30 3 Редактор Г. Вельская ТемпеРежимы вжигания никеля Суммарное приведенратура К п-слою К р-слою диффу- Темпе- Дли- Темпе- Дли- ное сопротивление зии рату- тель- ратура. тельструктуры. цинка, ра, К ность, К ность, Ом-см 2 К с с 953 953 973 973 993 993 1053 1053 1073 1073 1093 1093 773 803 823 843 843 873 773 823 833 853 853 873 320 320 240 240 480 480 480 480 240 240 320 320 723 723 743 743 773 773 723 723 743 743 773 743 240 240 400 480 480 400 480 240 360 360 400 400 ВАХ не линейна Ю"3 (1-5) -КГ* (1-5)-10J 4 (1-5Ї-106АХ не линейна ВАХ не линейна (1-5) -10Г* (1-5)-10"4 10 3 ВАХ не линейна • __ Составитель В. Запорожский Техред М.Моргентал Корректор Л . Пилипенко Заказ 705/ДСП Тираж 228 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101