Патенти з міткою «індекс»

Номер патенту: 46703

Опубліковано: 17.06.2002

Автори: Гардінер Джон Брук, Чанг Дейвід Йен-Ланг, Сіаріс Стівен Джеймс, Брайс Пол, Струглінскі Марк Джозеф

МПК: C10M 143/00

Мітки: поліфункціональної, в'язкості, індекс, підвищує, присадки, мастило, композиція

Формула / Реферат:

1. Композиция полифункциональной присадки, повышающей индекс вязкости, содержащая смесь двух сополимеров этилена с альфа-олефином, отличающаяся тем, что в качестве смеси двух сополимеров этилена с альфа-олефином композиция содержит компонент А, представляющий собой аддукт по меньшей мере одного нуклеофильного амина и имеющего остатки моно- или дикарбоновой кислоты модифицированного сополимера этилена с альфа-олефином, содержащего 30-60 мас.%...

Номер патенту: 16595

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Терейковська Ольга Федорівна, Карпова Ангеліна Петрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: оптичних, b(верхній, типу, а(верхній, індекс, контактних, спосіб, створення, поверхні, напівпровідних, кристалів, шарів

Формула / Реферат:

Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа АIIВVI, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20-30 мин при...

Номер патенту: 16578

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Махній Віктор Петрович, Мельник Володимир Васильович

МПК: H01L 21/28

Мітки: а(нижній, діодних, спосіб, в(нижній, структур, сполук, напівпровідникових, виготовлення, типу, омічних, основі, індекс, контактів

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления омических контактов к диодным структурам на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 с p-n-переходом, включающий подготовку поверхности структуры, химическое осаждение металла на структуру, вжигание его и осаждение слоя никеля, отличающийся  тем, что, с целью упрощения способа, проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм, сошлифовывают диффузионный слой со стороны n-типа, в качестве химически осаждаемого металла...

Номер патенту: 8618

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Бандур Віктор Аркадійович, Степаніщева Діна Фатихівна, Буряк Микола Іванович, Завадовська Віра Миколаївна

МПК: G01N 21/29

Мітки: спосіб, контролю, ступіні, очистки, тісі4(нижній, індекс

Формула / Реферат:

Способ контроля степени очистки ТiСl4, включающий сравнение исследуемого ТiСl4 с эта­лоном, отличающийся тем, что, с целью упроще­ния и повышения экспрессности способа и снижения затрат, готовят эталон ТiСl4 с общим содержанием примесей не более 0,002 мас. %, фик­сируют электронные спектры поглощения ТiСl4 и эталона, измеряют сдвиг края полосы поглощения ТiСl4 относительно эталона и по сдвигу судят о степени очистки ТiСl4.

Номер патенту: 8608

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Ільенко Ігор Борисович, Гапанчук Валентина Іванівна, Луб'яницький Ізраіль Якович, Янкова Ала Тимофіївна

МПК: C07B 33/00, C07C 51/27, B01J 23/72 ...

Мітки: кислот, одержання, алкандикарбонових, c6(нижній, спосіб, індекс, індекс)-c12(нижній

Формула / Реферат:

Способ получения алкандикарбоновых кис­лот C6-C12 путем двухстадийного окисления смеси соответствующего циклоалканола и циклоалканона азотной кислотой при повышенной температуре в присутствии медно-ванадисвого катализатора, включающий смешение отходя­щего нитрозного газа с кислородсодержащим газом, промывку полученной газовой смеси ис­ходным органическим сырьем при повышенных температуре и давлении, направление пол­ученного абсорбата на...