Патенти з міткою «двоелектродних»

Номер патенту: 34271

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H05K 3/00

Мітки: двоелектродних, кремнієвих, виготовлення, спосіб, катодів, розмірів, субмікронних, автоемісійних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів, який включає формування вістер катодів шляхом термічного окислення поверхні кремнію, фотолітографії, ізотропного сухого травлення, загострення вістер окисленням та мокрим травленням, селективного покриття катодів захисною плівкою, який відрізняється тим, що по одній технології отримують одношпильові, багатошпильові або лезоподібні катоди з...