H05K 3/00 — Способи та пристрої для виготовлення друкованих схем

Номер патенту: 89431

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Хюбш Вольфрам, Грумм Харальд, Каннон Марк, Куртц Райнер

МПК: H05K 3/00, G03F 9/00

Мітки: взаємного, положення, елементів, пристрій, визначення, двох, суті, плоских

Формула / Реферат:

1. Пристрій для визначення взаємного положення в площині X-Y двох по суті плоских елементів, розташованих по суті один над іншим на відстані один від одного у напрямі Z, що містить щонайменше один розташований між вказаними елементами оптичний реєструючий прилад, що дозволяє реєструвати щонайменше по дві точки на звернених одна до одної поверхнях елементів, і блок обробки, виконаний з можливістю аналізу зображень точок відносно їх взаємного...

Номер патенту: 34271

Опубліковано: 11.08.2008

Автори: Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: H05K 3/00

Мітки: катодів, спосіб, субмікронних, виготовлення, двоелектродних, автоемісійних, розмірів, кремнієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів, який включає формування вістер катодів шляхом термічного окислення поверхні кремнію, фотолітографії, ізотропного сухого травлення, загострення вістер окисленням та мокрим травленням, селективного покриття катодів захисною плівкою, який відрізняється тим, що по одній технології отримують одношпильові, багатошпильові або лезоподібні катоди з...

Номер патенту: 24157

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович

МПК: H05K 3/00

Мітки: випромінювачами, зображень, топографічних, експонування, використанням, спосіб, автоелектронними, різних, матриць, розмірів, рядів

Формула / Реферат:

1. Спосіб експонування топографічних зображень із використанням рядів матриць із автоелектронними випромінювачами різних розмірів, що включає рухому напівпровідникову пластину, покриту фоторезистом, яка експонується керованим електронним випромінюванням матриці випромінювачів, який відрізняється тим, що використовують ряди матриць випромінювачів різних розмірів.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що в рядах матриць...

Номер патенту: 27642

Опубліковано: 15.09.2000

Автори: Водопівець Йозеф, Фумо Чезаре

МПК: G01R 1/073, H05K 3/00, G01R 1/06 ...

Мітки: печатних, протилежних, плат, боків, контролю, машина, здійснення, спосіб

Текст:

...з озна чени х панелей з голками є спроможною переміщува тися у сво їй площині задля забезпечення позиціювання відпо відної голки у положення контакту означеної гол ки з відповідною точкою печатної плати , що під лягає тестуванню. У такий спосіб реалізується безпосередня перевага спрощення усієї системи завдяки універсалізації застосування машини для різноманітних печатних плат без потреби використання адапторів. На практиці у такий спосіб стає...

Номер патенту: 7798

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Ротнер Сергій Михайлович, Ряпосов Олександр Павлович, Ротнер Юрій Михайлович

МПК: H05K 3/00

Мітки: виготовлення, спосіб, мікросхеми

Формула / Реферат:

Способ изготовления микросхемы, включаю­щий формирование проводящих элементов путем селективной обработки лазерным излучением по­верхности заготовки из нитрида алюминия, отли­чающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа, при фор­мировании проводящих элементов используют ла­зер с длиной волны излучения l = 1,06 мкм и длительностью излучения 2•10-6с, а селектив­ную обработку заготовки проводят в два этапа: сна­чала...

Номер патенту: 4205

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Хайнц Рембольд, Евальд Лозерт

МПК: G03C 1/74, H05K 3/00

Мітки: печатної, спосіб, підложку, фоторезисту, схемі, відтулинами, нанесення

Формула / Реферат:

1. Способ нанесення фоторезиста на подлож­ку печатной схемы с отверстиями, основанный на поливе раствора фоторезиста в виде свободно пада­ющего потока на движущуюся подложку при ско­рости падения потока на подложку 60-160 м/мин, отличающийся тем, что, с целью повышения каче­ства покрытия и уменьшения закупорки фоторези­стом отверстий, при поливе используют раствор фоторезиста с вязкостью 500-1200 мПа·с. 2. Способ по п. 1, отличающийся...