Голота Віктор Іванович
Спосіб виготовлення нестандартних “кремній-на-ізоляторі”-структур
Номер патенту: 65226
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Довгий Віктор Володимирович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович
МПК: C30B 31/00
Мітки: спосіб, кремній-на-ізоляторі"-структур, виготовлення, нестандартних
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення нестандартних "кремній-на-ізоляторі"-структур, що включає маскування поверхні кремнієвої пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, витравлення в пластині в незамаскованих місцях вертикальних щілин заданої глибини, їх покриття нітридом кремнію та його селективне витравлювання на дні щілин, поглиблення щілин та формування бокових порожнин-тунелів витравлюванням кремнію під поверхнею...
Комірка базового матричного кристала
Номер патенту: 62994
Опубліковано: 26.09.2011
Автори: Голота Віктор Іванович, Вуйцик Андрій Михайлович, Когут Ігор Тимофійович, Довгий Віктор Володимирович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович
Мітки: кристала, базового, матричного, комірка
Формула / Реферат:
Комірка базового матричного кристала, що містить вісім нескомутованих р- і n-канальних польових транзисторів, виготовлених на смугах n- і р-областей і розташованих вздовж шин живлення, при цьому два з них р- та n-транзистори призначені для міжелектродної комутації, яка відрізняється тим, що 3р- і 3n-канальні польові транзистори та 1n- і 1р-канальний польові транзистори попарно розташовані, послідовно з'єднані та діелектрично ізольовані між...
Автоемісійний чутливий елемент акселерометра
Номер патенту: 62951
Опубліковано: 26.09.2011
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: H01L 27/00
Мітки: елемент, чутливий, автоемісійний, акселерометра
Формула / Реферат:
Автоемісійний чутливий елемент акселерометра, який складається із напівпровідникової підкладки, що являє собою перший електрод, на яку послідовно нанесені діелектрична плівка з витравленою ділянкою, електропровідна плівка, що являє собою другий електрод, який відрізняється тим, що перший електрод, другий електрод, основою якого є структура "кремній-на-ізоляторі", виготовлені у формі загострених вістер, які розмішені один навпроти...
Спосіб формування багаторівневих порожнин в кремнієвих пластинах
Номер патенту: 62085
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович
Мітки: кремнієвих, порожнин, формування, спосіб, багаторівневих, пластинах
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування багаторівневих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування горизонтальних порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію,...
Тривимірний мон-транзистор зі структурою “кремній-на-ізоляторі”
Номер патенту: 49691
Опубліковано: 11.05.2010
Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: H01L 27/00
Мітки: кремній-на-ізоляторі, мон-транзистор, тривимірний, структурою
Формула / Реферат:
Тривимірний МОН-транзистор зі структурою "кремній-на-ізоляторі", який складається із кремнієвої підкладки р-типу провідності, на якій послідовно сформовані шар ізолятора, підканальна область у вигляді монокристалічної плівки кремнію р- або n-типу провідності, шар підзатворного діелектрика, затвор і прилеглі до затвора стік-витокові області, леговані електрично активною домішкою n- або р-типу провідності відповідно, який...
Спосіб формування герметизованих порожнин в кремнієвих пластинах
Номер патенту: 43198
Опубліковано: 10.08.2009
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович
Мітки: пластинах, порожнин, формування, спосіб, герметизованих, кремнієвих
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування герметизованих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію та окислення...
Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур “кремній-на-ізоляторі”
Номер патенту: 36463
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович, Сапон Сергій Васильович
МПК: C30B 31/00
Мітки: кремній-на-ізоляторі, спосіб, структур, виготовлення, тривимірних, локальних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі", який включає маскування поверхні пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, створення в пластині проміжків, як між ділянками маскуючого покриття, так і на заданій глибині під поверхнею пластини для формування в цих місцях анодуванням пористого кремнію та його проокислення з формуванням ізолюючого окислу кремнію, який відрізняється тим, в...
Спосіб формування локальних мікроструктур типу “кремній-на-ізоляторі”
Номер патенту: 34277
Опубліковано: 11.08.2008
Автори: Сапон Сергій Васильович, Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: C04B 41/00
Мітки: кремній-на-ізоляторі, типу, формування, спосіб, мікроструктур, локальних
Формула / Реферат:
Спосіб формування локальних мікроструктур типу "кремній-на-ізоляторі", який включає послідовне формування на кремнієвій пластині шару ізолятора, відкриття в ньому вікон для контактів-зародків полікремнію із пластиною, нанесення шару полікремнію, який відрізняється тим, що на поверхні кремнієвої пластини формують локально розташовані ділянки ізолятора із окислу або оксинітриду кремнію товщиною 0,3-1,0 мікрометра, топологія яких є...
Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів
Номер патенту: 34271
Опубліковано: 11.08.2008
Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: H05K 3/00
Мітки: двоелектродних, розмірів, субмікронних, виготовлення, спосіб, автоемісійних, катодів, кремнієвих
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення двоелектродних автоемісійних кремнієвих катодів субмікронних розмірів, який включає формування вістер катодів шляхом термічного окислення поверхні кремнію, фотолітографії, ізотропного сухого травлення, загострення вістер окисленням та мокрим травленням, селективного покриття катодів захисною плівкою, який відрізняється тим, що по одній технології отримують одношпильові, багатошпильові або лезоподібні катоди з...
Спосіб виготовлення мікровакуумного автоемісійного випромінювача з планарно-торцевим катодом
Номер патенту: 32528
Опубліковано: 26.05.2008
Автор: Голота Віктор Іванович
МПК: H01L 21/00
Мітки: автоемісійного, виготовлення, планарно-торцевим, мікровакуумного, катодом, спосіб, випромінювача
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення мікровакуумного автоемісійного випромінювача з планарно-торцевим емісійним катодом, утвореним круглим отвором в тонкому шарі провідного матеріалу і циліндричним екстракційним електродом, який розміщується нижче емісійного катода на підкладці так, що бокова поверхня циліндра співпадає з краєм отвору емісійного катода по вертикалі, який відрізняється тим, що формується планарно-торцевий екстракційний електрод, утворений...
Контакт в інтегральних пристроях зі структурами “кремній-на-ізоляторі”
Номер патенту: 29701
Опубліковано: 25.01.2008
Автори: Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович
МПК: H01L 29/66
Мітки: структурами, інтегральних, пристроях, кремній-на-ізоляторі, контакт
Формула / Реферат:
1. Контакт в інтегральних пристроях зі структурами "кремній-на-ізоляторі" між шаром металу через контактне вікно у міжшаровому діелектрику до полікремнієвого затвора або стокової чи витокової області МОН-транзистора, сформованого на основі структур "кремній-на-ізоляторі", який відрізняється тим, що розміри контактного вікна в зоні контактування металу і шини із кремнієвої "плівки-на-ізоляторі" є більшими, ніж...
Ключовий елемент на діодах шотткі зі структурами “кремній-на-ізоляторі”
Номер патенту: 29698
Опубліковано: 25.01.2008
Автори: Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович, Когут Ігор Тимофійович
МПК: H01L 29/66
Мітки: шотткі, елемент, структурами, діодах, кремній-на-ізоляторі, ключовий
Формула / Реферат:
Ключовий елемент на діодах Шотткі зі структурами "кремній-на-ізоляторі", який складається із підкладки р-типу провідності, на якій послідовно розміщують шари ізолятора та смужку із монокристалічної плівки кремнію n-типу провідності, який відрізняється тим, що в смужці із плівки кремнію витравлюють 5 вузьких канавок на всю товщину рекристалізованої плівки кремнію, причому 3 сусідні канавки заповнюють алюмінієм для утворення бар'єрів...
Спосіб експонування топографічних зображень із використанням рядів матриць із автоелектронними випромінювачами різних розмірів
Номер патенту: 24157
Опубліковано: 25.06.2007
Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович
МПК: H05K 3/00
Мітки: різних, зображень, розмірів, топографічних, експонування, випромінювачами, рядів, використанням, спосіб, автоелектронними, матриць
Формула / Реферат:
1. Спосіб експонування топографічних зображень із використанням рядів матриць із автоелектронними випромінювачами різних розмірів, що включає рухому напівпровідникову пластину, покриту фоторезистом, яка експонується керованим електронним випромінюванням матриці випромінювачів, який відрізняється тим, що використовують ряди матриць випромінювачів різних розмірів.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що в рядах матриць...
Спосіб експонування топографічного зображення мікроелектронних пристроїв
Номер патенту: 20074
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович
МПК: H01L 31/00
Мітки: зображення, мікроелектронних, пристроїв, спосіб, топографічного, експонування
Формула / Реферат:
1. Спосіб експонування топографічного зображення мікроелектронних пристроїв, який виконують методом матрично-емітерної літографії, що включає рухому напівпровідникову пластину, покриту фоторезистом, який експонують керованим випромінюванням матриці емітерів, при цьому експоновані емітерами піксели мають різні розміри, а потрібні величини експозицій пікселів (напівтоновість) набирають дискретною модуляцією тривалостей випромінювання емітерів,...
Спосіб формування топологічних зображень мікроелектронних пристроїв
Номер патенту: 18536
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: H05K 3/02
Мітки: формування, спосіб, зображень, топологічних, пристроїв, мікроелектронних
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування топологічних зображень мікроелектронних пристроїв методом подвійної фотолітографії, який включає нанесення на напівпровідникову пластину плівки матеріалу, в якій формуватимуть топологію елементів IC або МСТ, нанесення фоторезисту, експозицію і операції травлення фоторезисту та плівки у немаскованих фоторезистом місцях з наступним зняттям фоторезисту, що складають першу фотолітографію, який відрізняється тим, що введено...