Шатернік Антон Володимирович
Спосіб створення переходу джозефсона
Номер патенту: 104982
Опубліковано: 25.03.2014
Автори: Шатернік Антон Володимирович, Пріхна Тетяна Олексіївна, Новіков Микола Васильович, Шаповалов Андрій Петрович, Шатернік Володимир Євгенович
МПК: H01L 39/22
Мітки: створення, переходу, спосіб, джозефсона
Формула / Реферат:
Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, шару бар'єра у вигляді аморфної напівпровідникової плівки кремнію, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту...
Спосіб створення переходу джозефсона
Номер патенту: 86442
Опубліковано: 25.12.2013
Автори: Шаповалов Андрій Петрович, Пріхна Тетяна Олексіївна, Шатернік Антон Володимирович, Шатернік Володимир Євгенович, Новіков Микола Васильович
МПК: H01L 39/22, H01L 39/00
Мітки: джозефсона, створення, спосіб, переходу
Формула / Реферат:
Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту заряду, а як матеріал верхнього електрода використовують...
Спосіб виготовлення нанокристалічного надпровідного матеріалу
Номер патенту: 83439
Опубліковано: 10.09.2013
Автори: Ейестерер Міхаель, Голдакер Вільфред, Новіков Микола Васильович, Пріхна Тетяна Олексіївна, Вебер Харальд, Шо Ксавьер, Наудем Жак, Сергієнко Ніна Віталієва, Козирєв Артем В'ячеславович, Мощіль Віктор Євгенович, Басюк Тетяна Володимирівна, Шатернік Антон Володимирович, Гавалек Вольфган, Кабіош Тері, Свердун Володимир Богданович
МПК: C04B 35/00, B22F 3/14
Мітки: надпровідного, спосіб, матеріалу, нанокристалічного, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення нанокристалічного надпровідного матеріалу із магнію і бору (у співвідношенні 1:2) і добавками титану (1-10 %), який відрізняється тим, що синтез проводять із суміші порошків вихідних речовин в умовах високого тиску (1-3 ГПа) і температури (700-1100 °C) протягом 20-120 хв, одержаний матеріал містить диборид магнію, оксид магнію, гідрид титану, диборид титану, титан і магній в співвідношенні компонентів,...