H01L 39/00 — Прилади з використанням надпровідності; способи або пристрої, спеціально призначені для виготовлення або обробки таких приладів або їх частин

Номер патенту: 101633

Опубліковано: 25.09.2015

Автор: Іващук Сергій Іванович

МПК: A61B 18/02, H01L 23/38, A61P 1/18 ...

Мітки: пристрій, кріогенного, моделювання, гострого, панкреатиту

Формула / Реферат:

Пристрій для кріогенного моделювання гострого панкреатиту шляхом використання елемента Пельтьє, термозонда та повітряного радіатора, який відрізняється тим, що використовують однокаскадний елемент Пельтьє з більшою площею генерації "холоду" 160 мм2 та меншою висотою 4 мм; площа підошви термозонда тотожна площі кріогенеруючої поверхні елемента Пельтьє; термозонд виготовляють з міді у конусно-пірамідальній формі та площу його бічної...

Номер патенту: 86442

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Шаповалов Андрій Петрович, Новіков Микола Васильович, Шатернік Володимир Євгенович, Шатернік Антон Володимирович

МПК: H01L 39/00, H01L 39/22

Мітки: джозефсона, переходу, створення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту заряду, а як матеріал верхнього електрода використовують...

Номер патенту: 74239

Опубліковано: 15.11.2005

Автори: Михайлов Володимир Іванович, Васильєв Олександр Васильович, Мельничук Ігор Олександрович

МПК: G01R 33/035, H01L 39/00, G01N 27/00 ...

Мітки: змін, властивостей, високотемпературних, виявлення, надпровідників, поверхневих, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення змін поверхневих властивостей високотемпературних надпровідників, який включає в себе безконтактне вимірювання діамагнітного відгуку зразка, що знаходиться у надпровідному стані, за допомогою вимірювального датчика, який відрізняється тим, що в процесі обробки на поверхні зразка формується область „свідка” анізотропної форми з незміненими властивостями і досліджується зміна параметра діамагнітного відгуку

Номер патенту: 68658

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Михайлов Володимир Іванович, Васильєв Олександр Васильович, Мельничук Ігор Олександрович

МПК: H01L 39/00

Мітки: високотемпературного, спосіб, надпровідника, поверхні, створеного, шару, глибини, ненадпровідного, виміру

Формула / Реферат:

1. Спосіб виміру глибини створеного на поверхні високотемпературного надпровідника ненадпровідного шару, який включає безконтактний вимір діамагнітного відгуку зразка на змінне магнітне поле, який відрізняється тим, що в процесі обробки поверхні зразка на ній формується область свідка анізотропної форми з незміненими властивостями і глибина h створеного ненадпровідного шару визначається при фіксованій температурі через залежність параметра...