Шаповалов Андрій Петрович

Номер патенту: 114924

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Шатернік Володимир Євгенович, Шаповалов Андрій Петрович

МПК: H01L 39/22

Мітки: заряду, тунельного, точки, переходу, гібридного, квантові, спосіб, бар'єри, створення, транспортом

Формула / Реферат:

Спосіб створення гібридного тунельного переходу, що включає створення на діелектричній підкладці металевої плівки нижнього електрода шару першого бар'єру із ізолятора певної товщини (h1~0¸10 нм), шару матеріалу, що забезпечує транспорт заряду в бар'єрі через квантові точки, шару другого бар'єру та верхнього електрода, який відрізняється тим, що шар матеріалу, що забезпечує транспорт заряду в бар'єрі через квантові точки, виконують як...

Номер патенту: 104982

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Шатернік Володимир Євгенович, Шаповалов Андрій Петрович, Новіков Микола Васильович, Шатернік Антон Володимирович

МПК: H01L 39/22

Мітки: джозефсона, спосіб, переходу, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, шару бар'єра у вигляді аморфної напівпровідникової плівки кремнію, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту...

Номер патенту: 86869

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Хачатурова Тетяна Олександрівна, Василенко Олександр Валентинович, Шаповалов Андрій Петрович, Білоголовський Михайло Олександрович

МПК: G11C 11/00

Мітки: електронів, джерела, створення, спін-поляризованих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення джерела спін-поляризованих електронів, що включає послідовне нанесення на феромагнітний металевий інжектор спін-поляризованих електронів спочатку - фільтра спін-поляризованих електронів, потім - прошарку надтонкої плівки діелектрику та, нарешті - металевого детектора спін-поляризованих електронів, який відрізняється тим, що фільтр спін-поляризованих електронів виготовляють нанесенням на інжектор послідовно прошарку надтонкої...

Номер патенту: 86442

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Шатернік Володимир Євгенович, Новіков Микола Васильович, Пріхна Тетяна Олексіївна, Шатернік Антон Володимирович, Шаповалов Андрій Петрович

МПК: H01L 39/00, H01L 39/22

Мітки: переходу, створення, джозефсона, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту заряду, а як матеріал верхнього електрода використовують...

Номер патенту: 10982

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Мощіль Віктор Євгенович, Горбик Петро Петрович, Шаповалов Андрій Петрович, Нагорний Петро Арсентійович, Дякін Віктор Васильович, Гріднєва Галина Генадіївна, Пріхна Тетяна Олексіївна, Мельников Володимир Степанович, Атаманенко Борис Анатолійович

МПК: C04B 35/00, B22F 3/14, B22F 3/16 ...

Мітки: вісмутового, спосіб, надпровідного, обробки, матеріалу

Формула / Реферат:

Способ обработки висмутового сверхпроводящего материала состава Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O, включающий воздействие на материал высоким давлением и температурой, отличающийся тем, что воздействие давлением и температурой прово­дят одновременно при следующих режимах: давле­ние Р = 1-3 ГПа, температура Т = 993-1053К, время 10-20 минут.