Патенти з міткою «фотоелемент»

Номер патенту: 72111

Опубліковано: 11.02.2008

Автор: Бобонич Петро Петрович

МПК: G02B 6/42, H01L 31/101

Мітки: диференціальний, бобонича, п.п, фотоелемент

Формула / Реферат:

1. Диференціальний фотоелемент, що складається зі структури p-n-p-n-типу, до крайнього верхнього р-шару та крайнього нижнього n-шару якої приєднано анод і катод відповідно, який відрізняється тим, що в ньому укріплені два світловоди, одні кінці яких знаходяться на крайному верхньому p-шарі та крайньому нижньому n-шарі структури p-n-p-n-типу відповідно, а інші виведені назовні фотоелемента.2. Фотоелемент за п. 1, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 28569

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Венгер Евген Федорович, Зінченко Едуард Олексійович, Шепельський Георгій Анатолійович, Жадько Іван Павлович, Романов Валентин Олександрович, Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич, Тарбаєв Микола Іванович

МПК: H01L 31/00, H01L 31/04

Мітки: позиційно-чутливий, фотоелемент, двокоординатний

Формула / Реферат:

Двокоординатний позиційно-чутливий фотоелемент, що вміщує сформований на підкладці напівпровідниковий фоточутливий шар з омічними контактами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий фоточутливий шар виконано у формі змійок, які поширюються від центрального контакту по двум взаємоперпендикулярним координатам та мають на кінцях контакти, і розташовано в зазорі мікромагніту, магнітне поле якого спрямовано під кутом 45° до координат, при...

Номер патенту: 7559

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Макаров Анатолій Володимирович, Горбань Анатолій Петрович, Костильов Віталій Петрович, Литовченко Володимир Григорович, Серба Олександр Андрійович

МПК: H01L 31/06

Мітки: позиційно-чутливий, фотоелемент

Номер патенту: 7065

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Романюк Борис Миколайович, Горбань Анатолій Петрович, Серба Олександр Андрійович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 31/06

Мітки: координатно-чутливий, фотоелемент

Текст:

...влияния на ' ^ предлагаемом фотоэлементе аспальзофотоэлектрические характеристики привана подложка из низкоомного полупробора, а планерное распределение заряводникового материала, то обуслокг.-енда диэлектрика, определяющее степень ное рекомбинационными токами падение Однородности его характеристик, являнапряжения происходит не в подложке, ется практически однородным на рас50 а в более высокоомном инверсионном стояниях, соизмеримых с...