Горбань Анатолій Петрович

Номер патенту: 14924

Опубліковано: 04.03.1997

Автори: Петряков Володимир Олексійович, Уруський Олег Семенович, Пінчук Віталій Миколайович, Макаров Анатолій Володимирович, Бойко Григорій Степанович, Горбань Анатолій Петрович

МПК: H01L 31/04

Мітки: спосіб, сонячних, фотоелектричного, виготовлення, модуля, елементів

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления фотоэлектрических модулей из солнечных элементов, основанный на последовательно-параллельной коммутации солнечных элементов между собой металлическими шинками и приклеивании скоммутированных солнечных элементов к поверхности носителя, на котором собирают модуль, отличающийся тем, что металлические шинки, осуществляющие параллельное соединение тыльных электродов ряда солнечных элементов между собой, выполняют из...

Номер патенту: 7559

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Горбань Анатолій Петрович, Костильов Віталій Петрович, Серба Олександр Андрійович, Литовченко Володимир Григорович, Макаров Анатолій Володимирович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоелемент, позиційно-чутливий

Номер патенту: 7561

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Громашевський Вячеслав Львович, Тетяненко Микола Петрович, Литовченко Володимир Григорович, Костильов Віталій Петрович, Іваницький Олег Петрович, Горбань Анатолій Петрович

МПК: H01L 21/304

Мітки: обробки, спосіб, кремнію, структур, кремній-двоокис

Формула / Реферат:

Способ обработки структур кремний-дву­окись кремния, включающий операцию измене­ния параметров дефектов, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, энергоемко­сти процесса и повышения качества, изменение параметров дефектов производят путем возбужде­ния в структурах ультразвуковых колебаний с ча­стотой 0,1 - 60 МГц, интенсивностью 0,5-7 Вт/см2 в течение 5-30 мин при температуре структуры не более 1000С.

Номер патенту: 7065

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Горбань Анатолій Петрович, Литовченко Володимир Григорович, Романюк Борис Миколайович, Серба Олександр Андрійович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоелемент, координатно-чутливий

Текст:

...влияния на ' ^ предлагаемом фотоэлементе аспальзофотоэлектрические характеристики привана подложка из низкоомного полупробора, а планерное распределение заряводникового материала, то обуслокг.-енда диэлектрика, определяющее степень ное рекомбинационными токами падение Однородности его характеристик, являнапряжения происходит не в подложке, ется практически однородным на рас50 а в более высокоомном инверсионном стояниях, соизмеримых с...