H01L 31/101 — чутливі до інфрачервоного, мабуть або ультрафіолетового випромінювання

Номер патенту: 112695

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Кабацій Василь Миколайович, Блецкан Дмитро Іванович

МПК: H01L 31/101, H01L 31/0203, G02B 1/10 ...

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

1. Фотоприймач, який містить підкладку, активний елемент, що здатний приймати інфрачервоне випромінювання та прозоре для випромінювання герметизуюче покриття, який відрізняється тим, що герметизуюче покриття містить щонайменше два шари, виконані з матеріалу на основі багатокомпонентних халькогенідних стекол систем (Ge, Pb)-As-(S, Se), причому сукупний об'єм шарів перевищує об'єм активного елемента щонайменше у два рази, а форма зовнішнього...

Номер патенту: 98093

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Вакульчак Василь Васильович, Блецкан Михайло Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович, Кабацій Василь Миколайович

МПК: H01L 31/0203, G02B 1/10, G02B 6/036 ...

Мітки: світлового, приймач, випромінювання

Формула / Реферат:

Приймач світлового випромінювання, який містить підкладку, активний елемент, що здатний приймати світлове випромінювання, та прозоре для випромінювання герметизуюче покриття, який відрізняється тим, що герметизуюче покриття виконане з матеріалу на основі багатокомпонентних халькогенідних стекол систем (Ge,Pb)-(Ga,As,Sb)-(S,Se), причому об'єм герметизуючого покриття перевищує об'єм активного елемента щонайменше у два рази, а форма...

Номер патенту: 102180

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Ковригін Володимир Іванович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Шкіренко Едуард Анатолійович, Перевертайло Олександр Володимирович

МПК: G02F 1/17, G02F 1/015, H01L 31/0232 ...

Мітки: інтегрованим, детектор, світлофільтром, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Детектор УФ випромінювання з інтегрованим світлофільтром, що складається з напівпровідникової, наприклад n-кремнієвої підкладки, на якій розташований УФ фотодіод з гребінчастим анодом, та опорний фотодіод з гребінчастим анодом та світлофільтром перед ним, який відрізняється тим, що анод (2) з р+ областю (3) під ним розташований в проміжках анода (4) з р+ областю (5) опорного діода, обидва діоди мають спільний катод (7) з n+ областю (6)...

Номер патенту: 49972

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Готра Зеновій Юрійович, Возняк Леся Юріївна, Волинюк Дмитро Юрійович, Черпак Владислав Володимирович, Стахіра Павло Йосипович

МПК: H01L 31/101

Мітки: напівпровідникового, органічного, матеріалу, виготовлення, основі, спосіб, фотоперетворювача

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотоперетворювача на основі органічного напівпровідникового матеріалу, згідно з яким на підкладку з електропровідним покриттям наносять органічну напівпровідникову плівку та поверх такої структури формують алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що між електропровідним покриттям та органічною плівкою термовакуумним напиленням наносять оптично прозору плівку йодиду міді (CuІ).

Номер патенту: 73704

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Бобонич Ерік Петрович, Бобонич Петро Петрович

МПК: H01L 31/16, H01L 29/66, H01L 31/101 ...

Мітки: виготовлення, оптопара, диференціальна, бобонича, спосіб

Формула / Реферат:

1. Диференціальна оптопара, що складається з р-n-р-n структури і випромінювача, яка відрізняється тим, що випромінювач містить два світлодіоди, один із яких розташований на першому р-шарі р-n-р-n структури, а другий - на другому n-шарі       р-n-р-n структури. 2. Спосіб виготовлення диференціальної оптопари, що включає формування ...

Номер патенту: 72111

Опубліковано: 11.02.2008

Автор: Бобонич Петро Петрович

МПК: G02B 6/42, H01L 31/101

Мітки: фотоелемент, бобонича, п.п, диференціальний

Формула / Реферат:

1. Диференціальний фотоелемент, що складається зі структури p-n-p-n-типу, до крайнього верхнього р-шару та крайнього нижнього n-шару якої приєднано анод і катод відповідно, який відрізняється тим, що в ньому укріплені два світловоди, одні кінці яких знаходяться на крайному верхньому p-шарі та крайньому нижньому n-шарі структури p-n-p-n-типу відповідно, а інші виведені назовні фотоелемента.2. Фотоелемент за п. 1, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 72109

Опубліковано: 11.02.2008

Автор: Бобонич Петро Петрович

МПК: H01L 29/66, H01L 31/101

Мітки: ефектом, спосіб, за, бобонича, керування, п.п, диференціальним, фотоелементом

Формула / Реферат:

Спосіб керування диференціальним фотоелементом, що складається зі структури р-n-р-n-типу, який відрізняється тим, що зміну знака фотоерс із "-" на "+" проводять шляхом дії на нього монохроматичним світлом, причому довжина хвилі монотонно змінюється в часі від ультрафіолетового світла до інфрачервоного.

Номер патенту: 72110

Опубліковано: 25.10.2007

Автор: Бобонич Петро Петрович

МПК: H01L 31/101

Мітки: керування, диференціальним, фотоелементом, ефектом, спосіб, п.п, бобонича

Формула / Реферат:

1. Спосіб керування диференціальним фотоелементом, що складається із структури p-n-p-n-типу, який відрізняється тим, що керування фотоелементом проводять шляхом дії на перший р-шар, який є анодом структури p-n-p-n-типу, або останній n-шар, який є катодом структури p-n-p-n-типу, монохроматичним світлом.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що керування фотоелементом проводять шляхом дії на перший р- або останній n-шар червоним...

Номер патенту: 71810

Опубліковано: 15.01.2007

Автор: Бобонич Петро Петрович

МПК: A61B 5/00, G01N 21/00, A61B 5/145 ...

Мітки: бобонича, ефекту, оптичний, визначення, глюкози, по, концентрації, датчик, неінвазійного, п.п

Формула / Реферат:

1. Оптичний датчик для неінвазійного визначення концентрації глюкози в крові, що містить послідовно розміщені інфрачервоний світлодіод, фотоприймач та систему реєстрації, який відрізняється тим, що як фотоприймач застосовано напівпровідникову структуру р-n-р- n-типу з інверсією знака електрорушійної сили.2. Датчик за п.1, який відрізняється тим, що як фотоприймач використаний фототиристор або фотодиністор, чи фотосемістор.

Номер патенту: 73704

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Бобонич Петро Петрович, Бобонич Ерік Петрович

МПК: H01L 29/66, H01L 31/16, H01L 31/101 ...

Мітки: по, диференціальна, ефекту, оптопара, виготовлення, бобонича, спосіб

Формула / Реферат:

1. Диференціальна оптопара, що складається з р-n-р-n структури і випромінювача, яка відрізняється тим, що випромінювач містить два світлодіоди, один із яких розташований на першому р-шарі р-n-р-n структури, а другий - на другому n-шарі       р-n-р-n структури. 2. Спосіб виготовлення диференціальної оптопари, що включає формування ...

Номер патенту: 73703

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Бобонич Ерік Петрович, Бобонич Петро Петрович

МПК: H01L 29/66, G02B 6/42, H01L 31/101 ...

Мітки: фотоваріатор, бобонича

Формула / Реферат:

1. Фотоваріатор, що складається із структури р-n-р-n-типу, кінці якої є анодом та катодом, що приєднані до р- та n-областей відповідно, який відрізняється тим, що він містить два світловоди, одні кінці яких знаходяться на р- та n-областях структури, а інші виведені назовні фотоваріатора.2. Фотоваріатор за п. 1, який відрізняється тим, що він заповнений герметичним компаундом.

Номер патенту: 73702

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Бобонич Ерік Петрович, Бобонич Петро Петрович

МПК: G02B 6/42, H01L 29/66, H01L 31/101 ...

Мітки: фототригер, бобонича

Формула / Реферат:

1. Фототригер, що складається із двох оптичних випромінювачів, який відрізняється тим, що кожний із випромінювачів виконано у вигляді напівпровідникової структури р-n-р-n-типу, кінці випромінювачів є анодом та катодом, що приєднані до р- та n-областей відповідно, і він містить два світловоди, кінці яких знаходяться на р- та n-областях структури, а інші виведені назовні фототригера.2. Фототригер за п. 1, який відрізняється тим, що він...

Номер патенту: 31008

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Шмирєва Олександра Миколаївна, Семікіна Тетяна Вікторівна

МПК: H01L 31/101

Мітки: спосіб, фотоприймач, випромірювання, ультрафіолетового, виготовлення

Текст:

...якості технології та, як наслідок, її складності та вартості виробу. | В основу винаходу покладено задачу створити такий фотоприймач ультрафіолетового випромінювання, в якому новий матеріал діелектричного шару дозволив підвищити чутливість до ультрафіолету у порівнянні з прототипом. ) і Поставлена задача вир ішується тим, що в фотоприймачі ультрафіолетового випромінювання, який вміщує напівпровідникову платі вк на тильній...