Венгер Евген Федорович

Номер патенту: 35809

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Венгер Евген Федорович, Шепельський Георгій Анатолійович, Старий Сергій Васильович, Стріха Максим Віталійович, Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич, Васько Федір Трохимович

МПК: H01S 5/00

Мітки: випромінювання, діапазону, змінною, лазер, напівпровідниковий, субміліметрового, хвилі, довжиною

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий лазер  зі  змінною довжиною хвилі випроміню­вання  субміліметрового діапазону,  активний елемент  якого  є одно­часно  резонатором  і  являє собою напівпровідниковий монокристал з паралельними робочими поверхнями  та омічними контактами,  який відрізняється тим,  що  активний елемент виконано з  монокристалу  безщілинного напівпровідника  у формі  прямокутного паралелепіпеда,  до якого за допомогою  пуансонів накладається...

Номер патенту: 33149

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Евген Федорович, Пелех Любов Миколаївна

МПК: H01L 43/06

Мітки: магнітного, датчик, поля

Текст:

...витягнуті HP з 2-а контактами кожен, дозволяв підвищити багатократно чутливість датчика» оскільки практично не Існує обмежень на їх КІЛЬКІСТЬ , те хнологія їх виготовлення в набагато простіша, ніж елементів лолла, оскільки не Існує проблеми холдЕвських контактів, що особливо важливо для мікрокристалів, якими в ниткопо діб ні кристали. Окрім цього, встановлення МР на кільцевому фериті дозволяє сумістити функції підкладки І концентратора...

Номер патенту: 33148

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Прохорович Анатолій Вікторович, Венгер Евген Федорович, Ющук Степан Іванович

МПК: H01L 43/00, G01K 7/00

Мітки: датчик, температури, поля, магнітного, вимірювання

Текст:

...Х-и,5 з питомим опором 5ии-Іши Омш контакти створені з привареного лудженого мідного дроту, закріпленого ІНДІЄМ. встановлено, що виготовлення чутливого елемента датчика а пресованого марганець-цинкового фериту даного складу І питомого опору *абе»~ печуе добру температурну чутливість датчика в Інтервалі U».,+IOU°C s коефіцієнтом тК0-£ 5&/R, а також його чутливість до магнітних полів s коефіцієнтом^^ Ом /тл дз Оскільки...

Номер патенту: 31815

Опубліковано: 15.12.2000

Автори: Варшава Славомир Степанович, Шкумбатюк Петро Степанович, Возний Орест Зеновійович, Венгер Евген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович

МПК: G01K 7/00, G01N 19/00, G01N 27/12 ...

Мітки: виготовлення, напівпровідникового, терморезистивного, спосіб, датчика

Текст:

...аморфного сплаву QeTe , відокремлюють підкладку І на сплав наносять з про тилежних сторін [п -контакти. Використання лазерної технологїі сплавлення пластинки Тв підкладкою Н-Оє з при певних режимах дозволяє порівняно просто одержати аморфний ибТє , який є основою для створення напівпровідникового тернорезистивного датчика; нові властивості аморфного сплаву забезпечують те, що датчик, крім температури, може вимірювати І другий...

Номер патенту: 28569

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Зінченко Едуард Олексійович, Шепельський Георгій Анатолійович, Романов Валентин Олександрович, Тарбаєв Микола Іванович, Венгер Евген Федорович, Жадько Іван Павлович, Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич

МПК: H01L 31/00, H01L 31/04

Мітки: фотоелемент, двокоординатний, позиційно-чутливий

Формула / Реферат:

Двокоординатний позиційно-чутливий фотоелемент, що вміщує сформований на підкладці напівпровідниковий фоточутливий шар з омічними контактами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий фоточутливий шар виконано у формі змійок, які поширюються від центрального контакту по двум взаємоперпендикулярним координатам та мають на кінцях контакти, і розташовано в зазорі мікромагніту, магнітне поле якого спрямовано під кутом 45° до координат, при...