Романюк Борис Миколайович

Номер патенту: 115173

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Гудименко Олександр Йосипович, Дубіковський Олександр Володимирович, Мусаєв Сергій Мусаєвич, Педченко Юрій Миколайович, Попов Валентин Георгієвич, Сапон Сергій Васильович, Романюк Борис Миколайович, Калистий Геннадій Володимирович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: фотодіоду, спосіб, антимоніді, індію, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі кристалів антимоніду індію n-типу провідності, що включає в себе підготовку поверхні вихідної пластини антимоніду індію, формування легованих областей р-типу провідності, формування захисної плівки шляхом анодного окиснення (АОП) в електроліті, нанесення пасивуючої просвітлюючої діелектричної плівки та формування контактної системи, який відрізняється тим, що після формування захисної плівки АОП...

Номер патенту: 105847

Опубліковано: 11.04.2016

Автори: Мельник Віктор Павлович, Коркішко Роман Михайлович, Костильов Віталій Петрович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H02J 7/35, H01L 31/042

Мітки: апаратури, мобільній, зарядки, малопотужної, польових, пристрій, живлення, умовах

Формула / Реферат:

1. Мобільний пристрій для живлення і зарядки малопотужної апаратури в польових умовах, що містить напівпровідниковий фотоелектричний модуль і стабілізатор постійної напруги, вхід якого з'єднаний з напівпровідниковим фотоелектричним модулем, буферний акумулятор та вихідний роз'єм, який відрізняється тим, що пристрій додатково містить два блокуючих діоди Шотткі, один з яких послідовно включений між стабілізатором постійної напруги і буферним...

Номер патенту: 62706

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Гудименко Олександр Йосипович, Попов Валентин Георгійович, Мельник Віктор Павлович, Хацевич Ігор Мирославович, Оберемок Олександр Степанович, Нікірін Віктор Андрійович, Голтвянський Юрій Васильович, Романюк Борис Миколайович

МПК: G02F 1/015

Мітки: термохромної, спосіб, розпилення, плівки, магнетронного, ванадію, діоксиду, виготовлення, методом

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термохромної плівки діоксиду ванадію, який включає нанесення на підігріту до 200-250 °С підкладку у вакуумній камері шару аморфного оксиду ванадію і його кристалізацію шляхом термічного відпалу, який відрізняється тим, що шар аморфного оксиду ванадію наносять шляхом магнетронного розпорошення ванадієвої мішені в середовищі газової суміші Аr та О2, вміст якого складає 3-7 %, зі швидкістю напилення 5-15 нм/хв., а термічний...

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Мельник Віктор Павлович, Попов Валентин Георгійович, Мельник Павло Вікентієвич, Романюк Борис Миколайович, Хацевич Ігор Мирославович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: структури, виготовлення, фотолюмінесцентної, кремнієвої, нанокластерної, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Оберемок Олександр Степанович, Хацевич Ігор Мирославович, Попов Валентин Георгійович, Гамов Дмитро Вікторович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/00

Мітки: фотолюмінесцентної, кремнієвої, виготовлення, спосіб, структури, нанокластерної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Романюк Борис Миколайович, Мельник Віктор Павлович, Горбулик Володимир Іванович, Литовченко Володимир Григорович, Клюй Микола Іванович, Марченко Ростислав Іванович, Попов Валентин Георгійович

МПК: H01L 21/322, H01L 21/265

Мітки: спосіб, рекомбінаційно-активних, кремнії, домішок, гетерування

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...

Номер патенту: 10388

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Романюк Борис Миколайович, Стахурський Леонід Леонідович

МПК: G01T 1/16, G01T 1/00

Мітки: вимірювання, шільності, іонами, імплантації, датчик, дози

Формула / Реферат:

Применение эпитаксиальной пленки железо-иттриевого граната на подложке из галлий-гадолиниевого граната (111)-ориентации в качестве датчика для измерения плотности дозы при имп­лантации ионами Не+.

Номер патенту: 7373

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Думбров Володимир Іванович, Москаль Денис Миколайович, Кудіна Альбіна Вікторівна, Рудський Ігор Володимирович, Романюк Борис Миколайович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Попов Валентин Георгійович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/322

Мітки: пластинах, геттерування, спосіб, кремнійових, внутрішнього

Формула / Реферат:

Способ внутреннего геттерирования в кремни­евых пластинах с содержанием кислорода 4•1017-1•1018 см-3 , включающий проведение двухста­дийного отжига при температурах T1=600-8000С и Т2=1050-1150°С в нейтральной среде, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения эффектив­ности процесса геттерирования, отжиг при температуре T1 проводят в течение 3-8 ч в поле градиента механических напряжений, обеспечи­вающих сжатие рабочей и растяжение нерабочей...

Номер патенту: 7560

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Романюк Борис Миколайович, Шаповалов Віталій Павлович, Попов Валентин Георгійович, Марченко Ростислав Іванович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Кудіна Альбіна Вікторівна

МПК: H01L 21/265

Мітки: si-sio2, виготовлення, структур, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур Si - SiO2, включающий нанесение маски на рабочую сторону кремниевой пластины, ионную бомбардировку и окисление поверхности кремния при температуре 850 - 950°С, отличающийся тем, что, с целью повышения качества границы раздела Si - SiO2, бомбардировку проводят с энергией ионов 0,5 - 2 КэВ и дозоой 1017-1018 ион/см , а окисление - в атмосфере сухого кислорода.

Номер патенту: 7562

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Марченко Ростислав Іванович, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Думбров Володимир Іванович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Шаповалов Віталій Павлович

МПК: H01J 37/30, H01L 21/265

Мітки: одержання, шарів, автоепітаксіальних, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Способ получения автоэпитаксиальных сло­ев кремния, включающий формирование на рабо­чей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, уда­ление маски, эпитаксиальное наращивание, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...

Номер патенту: 7065

Опубліковано: 31.03.1995

Автори: Романюк Борис Миколайович, Серба Олександр Андрійович, Горбань Анатолій Петрович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 31/06

Мітки: координатно-чутливий, фотоелемент

Текст:

...влияния на ' ^ предлагаемом фотоэлементе аспальзофотоэлектрические характеристики привана подложка из низкоомного полупробора, а планерное распределение заряводникового материала, то обуслокг.-енда диэлектрика, определяющее степень ное рекомбинационными токами падение Однородности его характеристик, являнапряжения происходит не в подложке, ется практически однородным на рас50 а в более высокоомном инверсионном стояниях, соизмеримых с...