Координатно-чутливий фотоелемент

г а ДЛЯ СЛУЖЕБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ ЭК\* СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 3(Я) HOI L 31/06 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2896362/18-25 '(22) Ї9.03.80 (72) А.П.Горбань, В.Г.Литовченко, Б.Н.Романюк и А.А.Серба (71) Институт полупроводников АН Украинской ССР (53) 621.382 (088.8) (56) 1. Полунов Ю.Л. Полупроводниковые позиционно-чувствительные фотоприемники. Оптико-механическая 10 ~е — 5 * ностной области полупроводника инверх Ю ^ К / с м 2 условия ассиметричности 25 сионного канала 4, изолированного от индуцированного р-п -перехода удовобъема полупроводниковой подложки 1 летворяется при удельном сопротивлеслоем обеднения 5. Выпрямляющие и-п нии полупроводниковой подложки, не переходы между электродами и подложпревышающем 100 ом/см. кой осуществляются при помощи легироОмические контакты токосъемных зо ванных областей 6 с типом проводимости, электродов с инверсионным каналом противоположным типу проводимости обеспечиваются благодаря тому, что материала подложки I, и нанесенных они нанесены на поверхность полуна них металлических токосъемных проводниковой подложки ( и и леги.л электродов 3, обеспечивающих омичесрованных областей) вплотную к гракие контакты с легированными обласницам диэлектрического слоя и не об- 5 I тями 6 (а следовательно, и с инверсиразуют выпрямляющих переходов с инонным каналом 4 ) . версионным каналом. При локальной засветке части nor-t, Повышение степени однородности верхности рассматриваемого фотоэлеменвольт-координатной характеристики . та возникающее в месте освещения фопредлагаемого фотоэлемента обеспечитонапряжение приводит к появлению вается тем, что ввиду низкоомности порекомбинационных токов, замыкающихся лупрово^иковой подложки даже большие через неосвещенные участки индуцирофлуктуации ее удельного сопротивления ванного р- п-перехода. Поскольку в не оказывают существенного влияния на ' ^ предлагаемом фотоэлементе аспальзофотоэлектрические характеристики привана подложка из низкоомного полупробора, а планерное распределение заряводникового материала, то обуслокг.-енда диэлектрика, определяющее степень ное рекомбинационными токами падение Однородности его характеристик, являнапряжения происходит не в подложке, ется практически однородным на рас50 а в более высокоомном инверсионном стояниях, соизмеримых с длиной дифканале. В связи с этим между токофузионного смещения неосновных носисъемными электродами 3 возникает фотелей тока. токапряжеиие, величина и знак которо-, го зависят от соотношения площадей Поскольку, далее конфигурация высокоомной области индуцированного 5S неосвещенных участков индуцированного .p-ft-перехода, влияющая на форму вольт- р-Гї-персхода слева и справа от C C F C щекного участка, т.е. от коордш гъы координатной характеристики фотоэлеосвещенного участка относительно томента, повторяет конфигурацию заря 4 S 85421 1 косъемных электродов и от конфигураобработкой при ЗООт45О°С для улучшеции инверсионного канала. ния их контакта с поверхностью легиКоординатно-чувствительный фоторованных областей 6. элемент может быть выполнен, например, Эффективность предлагаемых координа основе кремния р-типа (подложка 1).5 нати о -чувствительных фотоэлементов Заряженный диэлектрический слой 2 определяется, прежде всего, расширениможет быть сформирован путем термием их функциональных возможностей по ческого окисления кремниевой подложсравнению с известными приборами ки 1 в окислительной среде при Т=900аналогичного типа за счет повышения 1200°С в течение 0,5-2 часа, а леги- 10 однородности вольт-координатной харованные области 6 - путем диффузии рактеристики, а следовательно, повыили имплантации фосфора в стандартшения точности измерения координаты ных режимах. Металлические электроды освещенного участка и улучшения вос3 могут быть нанесены на поверхность производимости характеристик различт легированных областей 6 термическим ных приборов при их серийном произиспарением А1 с последующей термоводстве . Редактор В.Петрова Составитель Н.Январекя Техред Т.Дубинчак Заказ 532/ДСП Тираж 583 ВНИИПИ Государственного комитета СССР . по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Корректор А.Зимокосов Подписное Филиал ГОШ "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4