Патенти з міткою «генерованими»
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі
Номер патенту: 118036
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович
МПК: H01L 21/00, C30B 11/00
Мітки: генерованими, ударними, деформаційними, напівпровідників, хвилями, рідкому, середовищі, лазера, спосіб, поверхневого, імпульсами, елементами, твердофазного, шару, а2в6, легування, наносекундними, групи
Формула / Реферат:
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...