Гнатюк Володимир Анастасійович
Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі
Номер патенту: 118037
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович
МПК: C30B 11/00, H01L 31/00
Мітки: гамма-випромінювання, лазера, детекторів, переходом, рентгенівського, середовищі, cdznte, рідкому, спосіб, опроміненням, багатократним, імпульсами, характеристик, основі, виготовлення, підвищення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі
Номер патенту: 118036
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович
МПК: H01L 21/00, C30B 11/00
Мітки: групи, середовищі, лазера, твердофазного, напівпровідників, наносекундними, елементами, імпульсами, рідкому, генерованими, деформаційними, ударними, спосіб, а2в6, поверхневого, хвилями, легування, шару
Формула / Реферат:
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...
Спосіб виготовлення детекторів x- і g-випромінювання
Номер патенту: 41216
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі
МПК: C30B 11/00, H01L 21/04
Мітки: виготовлення, спосіб, g-випромінювання, детекторів
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання, що включає напилення на поліровану поверхню монокристалічної пластини високоомного CdTe р-типу плівки In, легування поверхневого шару пластини CdTe індієм шляхом опромінення плівки індію імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії 90-100 мДж/см2, напилення на протилежну поверхню пластини CdTe золотого електрода, який відрізняється...
Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею
Номер патенту: 41215
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович
МПК: H01L 21/04
Мітки: групи, бар'єрних, структур, спосіб, елементами, напівпровідникових, приповерхневого, аiii, створенні, пружною, хвилею, електричних, легування, аiiвvi, сполук
Формула / Реферат:
Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...