Левицький Сергій Миколайович
Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі
Номер патенту: 118037
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі
МПК: H01L 31/00, C30B 11/00
Мітки: cdznte, опроміненням, гамма-випромінювання, виготовлення, підвищення, рідкому, рентгенівського, багатократним, детекторів, середовищі, лазера, імпульсами, спосіб, переходом, основі, характеристик
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі
Номер патенту: 118036
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович
МПК: C30B 11/00, H01L 21/00
Мітки: наносекундними, спосіб, ударними, групи, хвилями, шару, напівпровідників, генерованими, а2в6, лазера, легування, імпульсами, твердофазного, рідкому, деформаційними, середовищі, елементами, поверхневого
Формула / Реферат:
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...
Спосіб отримання високооднорідних халькогенідних напівпровідникових матеріалів аivbvi
Номер патенту: 43898
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Криськов Цезарій Андрійович, Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Криськов Анатолій Андрійович
МПК: C30B 15/10, C30B 13/00
Мітки: халькогенідних, отримання, матеріалів, спосіб, aivbvi, високооднорідних, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Спосіб отримання халькогенідних напівпровідникових кристалів AІVBVI, який включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів, які завантажують в кварцову ампулу, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження ампули...
Спосіб отримання однорідно легованих кристалів аivbvi
Номер патенту: 43897
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Власенко Олександр Іванович, Криськов Цезарій Андрійович, Криськов Анатолій Андрійович, Левицький Сергій Миколайович
МПК: C30B 11/00, C30B 13/00
Мітки: спосіб, кристалів, однорідної, легованих, отримання, aivbvi
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів термоелектричного матеріалу АIVВVI, який включає завантаження в кварцову ампулу вихідних компонентів бінарної сполуки та легуючої домішки, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження...
Спосіб виготовлення детекторів x- і g-випромінювання
Номер патенту: 41216
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович, Власенко Олександр Іванович
МПК: C30B 11/00, H01L 21/04
Мітки: детекторів, спосіб, виготовлення, g-випромінювання
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання, що включає напилення на поліровану поверхню монокристалічної пластини високоомного CdTe р-типу плівки In, легування поверхневого шару пластини CdTe індієм шляхом опромінення плівки індію імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії 90-100 мДж/см2, напилення на протилежну поверхню пластини CdTe золотого електрода, який відрізняється...
Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею
Номер патенту: 41215
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович
МПК: H01L 21/04
Мітки: легування, аiiвvi, напівпровідникових, електричних, групи, приповерхневого, сполук, пружною, елементами, структур, спосіб, хвилею, створенні, аiii, бар'єрних
Формула / Реферат:
Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...