Патенти з міткою «наносекундними»
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі
Номер патенту: 118036
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Власенко Олександр Іванович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Тору Аокі
МПК: H01L 21/00, C30B 11/00
Мітки: напівпровідників, групи, а2в6, наносекундними, середовищі, шару, генерованими, деформаційними, твердофазного, легування, рідкому, хвилями, спосіб, поверхневого, елементами, ударними, лазера, імпульсами
Формула / Реферат:
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...