Патенти з міткою «а2в6»
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі
Номер патенту: 118036
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Власенко Олександр Іванович
МПК: H01L 21/00, C30B 11/00
Мітки: хвилями, поверхневого, деформаційними, ударними, рідкому, спосіб, лазера, а2в6, групи, генерованими, наносекундними, імпульсами, твердофазного, елементами, середовищі, легування, напівпровідників, шару
Формула / Реферат:
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...
Спосіб вирощування монокристалів сполук а2в6
Номер патенту: 87953
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович
МПК: C30B 13/00, C30B 29/48
Мітки: вирощування, сполук, спосіб, а2в6, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...
Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук а4в6, а2в6 методом сублімації
Номер патенту: 87353
Опубліковано: 10.07.2009
Автори: Копил Олександр Іванович, Микитюк Павло Дмитрович
МПК: C30B 23/00, C30B 29/46
Мітки: твердих, сублімації, сполук, пристрій, розчинів, а2в6, а4в6, методом, вирощування, монокристалів
Формула / Реферат:
1. Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук А4В6, А2В6 методом сублімації, що складається з контейнера для розміщення наважки вихідних компонентів та високотемпературної трубчатої печі з внутрішнім діаметром, більшим за зовнішній діаметр контейнера, який відрізняється тим, що контейнер складається з двох з'єднаних вздовж поздовжньої осі симетрії частин, причому торець однієї частини з меншим діаметром має капіляр,...