Тору Аокі
Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі cd(zn)te з p-n переходом і підвищення їх характеристик багатократним опроміненням імпульсами лазера у рідкому середовищі
Номер патенту: 118037
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі, Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович
МПК: H01L 31/00, C30B 11/00
Мітки: середовищі, рідкому, гамма-випромінювання, виготовлення, лазера, імпульсами, детекторів, спосіб, cdznte, рентгенівського, опроміненням, характеристик, підвищення, переходом, багатократним, основі
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського- і гамма-випромінювання на основі напівпровідників А2В6 з р-n переходом і підвищення їх характеристик, що полягає в опроміненні структур In-Cd(Zn)Te з боку плівки металу наносекундними імпульсами лазера з довжиною хвилі ультрафіолетового або видимого діапазону спектра і густиною енергії, вищою за пороги плавлення застосовуваних матеріалів, напилення на протилежну поверхню напівпровідника...
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників а2в6 елементами групи а3 деформаційними та ударними хвилями, генерованими наносекундними імпульсами лазера у рідкому середовищі
Номер патенту: 118036
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі
МПК: H01L 21/00, C30B 11/00
Мітки: поверхневого, ударними, елементами, легування, деформаційними, хвилями, імпульсами, а2в6, шару, наносекундними, генерованими, групи, рідкому, лазера, напівпровідників, середовищі, твердофазного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб твердофазного легування поверхневого шару напівпровідників А2В6 елементами А3, що включає нанесення на поверхню кристала плівки легуючого елемента, товщина якої більша за глибину проникнення теплової хвилі, але менша за глибину утворення ударної хвилі при імпульсному лазерному опроміненні, та опромінення її наносекундними лазерними імпульсами, який відрізняється тим що плівку легуючого елемента опромінюють у рідині, прозорій для...
Спосіб виготовлення детекторів x- і g-випромінювання
Номер патенту: 41216
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Тору Аокі, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович
МПК: C30B 11/00, H01L 21/04
Мітки: виготовлення, g-випромінювання, спосіб, детекторів
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання, що включає напилення на поліровану поверхню монокристалічної пластини високоомного CdTe р-типу плівки In, легування поверхневого шару пластини CdTe індієм шляхом опромінення плівки індію імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії 90-100 мДж/см2, напилення на протилежну поверхню пластини CdTe золотого електрода, який відрізняється...
Спосіб приповерхневого легування елементами групи аііі напівпровідникових сполук групи аіівvi при створенні електричних бар’єрних структур пружною хвилею
Номер патенту: 41215
Опубліковано: 12.05.2009
Автори: Гнатюк Володимир Анастасійович, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович, Тору Аокі
МПК: H01L 21/04
Мітки: хвилею, сполук, аiiвvi, аiii, пружною, електричних, створенні, напівпровідникових, групи, бар'єрних, структур, спосіб, легування, елементами, приповерхневого
Формула / Реферат:
Спосіб приповерхневого легування елементом групи АIII напівпровідникових сполук групи AIIBVI при створенні електричних бар'єрних структур пружною хвилею, індукованою лазерним імпульсом, що включає напилення на поліровану поверхню напівпровідника плівки легуючого елемента і її опромінення лазерним імпульсом тривалістю 20 нс рубінового або ексимерного KrF лазера з густиною енергії, якої достатньо для утворення пружної хвилі, який відрізняється...