Сльотов Михайло Михайлович

Номер патенту: 119736

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00

Мітки: фотодетекторів, отримання, спосіб, znmgse

Формула / Реферат:

Спосіб отримання фотодетекторів включає відпал кристалів ZnMgSe не гірше 10-4 Торр., який відрізняється тим, що кристали твердого розчину ZnMgSe відпалюють у парі магнію при температурі 800-950 °C.

Номер патенту: 108145

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/00, H01L 31/00

Мітки: модифікації, спосіб, виготовлення, гексагональної, гетерошарів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів CdTe гексагональної модифікації, що включає підготовку базової підкладинки та її відпал у парі ізовалентної домішки, який відрізняється тим, що підкладинкою слугує пластинка a-CdSe, відпал якої проводиться у парі Те при температурі 600-900 °C.

Номер патенту: 104988

Опубліковано: 25.02.2016

Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 28/00

Мітки: цинку, отримання, різного, кольору, селеніду, шарів, люмінесценцією, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з люмінесценцією різного кольору, що включає відпал кристалів селеніду кадмію у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі цинку у вакуумі не гірше 10-4 Торр при температурі 880-1040 °C, причому збільшенням температури відпалу змінюють колір люмінесценції з фіолетового до зеленого.

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/324, H01L 31/0272, C30B 31/00 ...

Мітки: блакитною, люмінесценцією, шарів, спосіб, отримання, цинку, селеніду

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Номер патенту: 62626

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Косоловський Василь Васильович, Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/06

Мітки: телуриду, спосіб, кристалів, кадмію, легування

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів телуриду кадмію, що включає їх відпал у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі легуючої домішки Mg при температурі 820-900 °С.

Номер патенту: 66046

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Ткаченко Ірина Володимирівна, Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович

МПК: C30B 31/00

Мітки: цинку, отримання, свіченням, селеніду, зеленим, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів селеніду цинку з зеленим свіченням, що включає їх відпал у насиченій парі цинку, який відрізняється тим, що кристали попередньо відпалюють у парі телуру при температурі 650°С±10°С.

Номер патенту: 65074

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00

Мітки: кристалів, спосіб, селеніду, легування, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб легування кристалів селеніду цинку, що включає їх відпал у парі легуючої домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі Cd при температурі 550-650°С.

Номер патенту: 65010

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович, Демич Микола Васильович

МПК: H01L 21/477

Мітки: обробки, cd1-xznxte, кристалів, спосіб, поверхні

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні кристалів Cd1-хZnxTe з , що включає механічне та хімічне полірування напівпровідникових підкладинок, який відрізняється тим, що підкладинку додатково відпалюють на повітрі при температурі 520±50°С протягом 10±2хв.