H01L 21/324 — термічна обробка для модифікації характеристик напівпровідникових підкладок, наприклад отжиг або спікання

Номер патенту: 86709

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Шикоряк Йосип Андрійович, Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович, Лис Роман Мирославович, Грипа Андрій Сергійович

МПК: G01N 3/18, H01L 21/324, H01L 21/322 ...

Мітки: пристрій, дослідження, тіл, одновісних, деформацій, електрофізичних, твердих, створення, характеристик

Формула / Реферат:

Пристрій для створення одновісних деформацій твердих тіл і дослідження їх електрофізичних характеристик, що містить кріостат, робочий об'єм якого підключений до повітряної помпи для створення вакууму, розміщені в ньому засоби кріплення і засоби дослідження електрофізичних властивостей дослідного зразка, навантажувач, опорну трубу з динамометром, який відрізняється тим, що навантажувач розміщений під кутом 90° до осі навантаження на...

Номер патенту: 80800

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Криницький Олександр Степанович, Горічок Ігор Володимирович, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: H01L 21/324, C01G 21/00, C01B 19/00 ...

Мітки: термоелектричного, спосіб, n-pbte:sb, отримання, стабільного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання стабільного термоелектричного n-PbTe:Sb, який полягає в тому, що як вихідні компоненти використовують свинець (Рb), телур (Те) та сурму високого класу чистоти (99,999%), взяті у відповідних вагових співвідношеннях, завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і...

Номер патенту: 78538

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Махній Віктор Петрович

МПК: C30B 31/00, H01L 31/0272, H01L 21/324 ...

Мітки: гетерошарів, виготовлення, люмінесценцією, ультрафіолетовою, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення гетерошарів ZnO з ультрафіолетовою люмінесценцією, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnSe та синтез гетерошарів ZnO, який відрізняється тим, що перед синтезом гетерошарів ZnO підкладинки ZnSe відпалюють на повітрі при температурі 500±10 °C протягом 10 хв.

Номер патенту: 78537

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Сльотов Михайло Михайлович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/324, C30B 31/00, H01L 31/0272 ...

Мітки: цинку, люмінесценцією, блакитною, селеніду, спосіб, шарів, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з блакитною люмінесценцією, що включає відпал кристалів селеніду цинку, який відрізняється тим, що монокристалічний селенід цинку у вигляді пластинок відпалюють у вакуумі не гірше 10-4 тор.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки бездомішкових кристалів селеніду цинку відпалюють при температурах 500-1050 °C.3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що пластинки...

Номер патенту: 36345

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Журба Олександр Михайлович, Вороненко Олександр Викторович

МПК: H01L 21/324

Мітки: спосіб, структур, одержання, багатошарових

Текст:

...задатчику високоточного регулятора температури РИФ-107 по синусоїдальному закону щодо середньої лінії зниження температури зі швидкістю не вище 10 °С за хвилину. Період коливань 5 хвилин, амплітуда коливань від 3 до 7°С. Після зниження температури до 600°С згідно такого режиму здійснюють закалку-оджиг багатошарової структури скло - напівпровідник (скло ВТНП) на протязі 30 хвилин, потім знижують температуру як описано вище по синусоїдальному...

Номер патенту: 16727

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Тіман Беніамін Липович

МПК: H01L 21/324

Мітки: елемеhт, hапівпровідhиковий, одержаhhя, спосіб

Формула / Реферат:

1. Полупроводниковый элемент, содержащий подложку с электродом и нанесенные на ее поверхность слои сульфида кадмия CdS и теллурида кадмия CdTe и второй электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности и расширения спектрального диапазона фоточувствительности, он содержит слой сульфида меди Сu2S, нанесенный на слой CdTe, второй электрод, нанесенный на поверхность Сu2S, при этом толщины слоев CdTe и Cu2S относятся как...