Сльотов Олексій Михайлович
Спосіб визначення висоти потенціального бар’єра контакту метал-напівпровідник
Номер патенту: 122626
Опубліковано: 25.01.2018
Автори: Махній Віктор Петрович, Склярчук Валерій Михайлович, Сльотов Олексій Михайлович
МПК: H01L 21/66
Мітки: визначення, потенціального, висоті, контакту, метал-напівпровідник, спосіб, бар'єра
Формула / Реферат:
Спосіб визначення висоти потенціального бар'єра контакту метал-напівпровідник (КМН), що включає вимірювання при сталій температурі безструктурного спектра при енергіях фотонів , менших за ширину забороненої зони напівпровідника, його...
Спосіб визначення ширини забороненої зони напівпровідникових матеріалів
Номер патенту: 120756
Опубліковано: 10.11.2017
Автори: Махній Віктор Петрович, Бодюл Георгій Ілліч, Сльотов Олексій Михайлович
МПК: H01L 21/66
Мітки: напівпровідникових, визначення, матеріалів, зони, забороненої, ширини, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення ширини забороненої зони , що включає вимірювання при сталій температурі спектрів оптичного пропускання не менше як трьох зразків різної товщини конкретного напівпровідника, знаходження для кожного з них ширини...
Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках cd1-xmnxte (0,04<=x<=0,45)
Номер патенту: 119883
Опубліковано: 10.10.2017
Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Махній Віктор Петрович
МПК: H01L 21/477
Мітки: поверхневої, підкладинках, спосіб, cd1-xmnxte, наноструктури, створення, 0,04<=x<=0,45
Формула / Реферат:
Спосіб створення поверхневої наноструктури на підкладинках Cd1-xMnxTe (0,04≤x≤0,45), що включає механічне і хімічне полірування підкладинок та їх відпал на повітрі, який відрізняється тим, що відпал підкладинок проводять при температурі 650±20 °C протягом часу, який визначають за емпіричним виразом tв=35+1,3·x, хв.
Спосіб отримання фотодетекторів на znmgse
Номер патенту: 119736
Опубліковано: 10.10.2017
Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Сльотов Михайло Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович
МПК: H01L 21/00, H01L 31/00
Мітки: znmgse, фотодетекторів, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання фотодетекторів включає відпал кристалів ZnMgSe не гірше 10-4 Торр., який відрізняється тим, що кристали твердого розчину ZnMgSe відпалюють у парі магнію при температурі 800-950 °C.
Спосіб виготовлення гетерошарів cdte гексагональної модифікації
Номер патенту: 108145
Опубліковано: 11.07.2016
Автори: Махній Віктор Петрович, Сльотов Михайло Михайлович, Сльотов Олексій Михайлович
МПК: H01L 21/00, H01L 31/00
Мітки: гетерошарів, модифікації, гексагональної, виготовлення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення гетерошарів CdTe гексагональної модифікації, що включає підготовку базової підкладинки та її відпал у парі ізовалентної домішки, який відрізняється тим, що підкладинкою слугує пластинка a-CdSe, відпал якої проводиться у парі Те при температурі 600-900 °C.
Спосіб отримання шарів селеніду цинку з люмінесценцією різного кольору
Номер патенту: 104988
Опубліковано: 25.02.2016
Автори: Сльотов Олексій Михайлович, Сльотов Михайло Михайлович, Гавалешко Олександр Степанович
МПК: C30B 28/00
Мітки: різного, селеніду, спосіб, цинку, кольору, шарів, люмінесценцією, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання шарів селеніду цинку з люмінесценцією різного кольору, що включає відпал кристалів селеніду кадмію у парі домішки, який відрізняється тим, що відпал проводять у парі цинку у вакуумі не гірше 10-4 Торр при температурі 880-1040 °C, причому збільшенням температури відпалу змінюють колір люмінесценції з фіолетового до зеленого.