Патенти з міткою «надпровідного»
Спосіб одержання надпровідного матеріалу на основі дибориду магнію з карбідом кремнію в умовах високого тиску
Номер патенту: 122795
Опубліковано: 25.01.2018
Автори: Свердун Володимир Богданович, Сербенюк Тетяна Богданівна, Мошіль Віктор Євгенович, Козирєв Артем В'ячеславович, Пріхна Тетяна Олексіївна
МПК: C04B 35/00, B22F 3/14
Мітки: високого, магнію, основі, кремнію, тиску, одержання, дибориду, матеріалу, карбідом, умовах, надпровідного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб одержання надпровідного матеріалу на основі дибориду магнію з карбідом кремнію в умовах високого тиску методом синтезу, причому добавки карбіду кремнію становлять 10 %, який відрізняється тим, що синтез проводять в умовах високого тиску і температури (не менше 0,5 ГПа і 600-1100 ºC, відповідно протягом 40-80 хв.
Спосіб виготовлення надпровідного матеріалу
Номер патенту: 106236
Опубліковано: 25.04.2016
Автори: Мацишин Сергій Олегович, Шепель Анна Олександрівна, Хіноцька Алла Анатоліївна, Чубенко Вікторія Анатоліївна, Чубенко Валерій Андрійович, Калініченко Юрій Петрович, Бережний Микола Миколайович
МПК: H01B 12/00
Мітки: виготовлення, матеріалу, надпровідного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення надпровідного матеріалу, що включає операції обробки металу тиском з наступною термічною обробкою, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується сталева трубна заготовка, яку отримують безперервною розливкою у виливницях-кристалізаторах, що обертаються, при цьому формують в центрі заготовки зони окислів і прокатують її на станах поперечно-гвинтового прокатування, при цьому утворюють навколо осі...
Спосіб виготовлення нанокристалічного надпровідного матеріалу
Номер патенту: 83439
Опубліковано: 10.09.2013
Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Басюк Тетяна Володимирівна, Сергієнко Ніна Віталієва, Вебер Харальд, Свердун Володимир Богданович, Голдакер Вільфред, Ейестерер Міхаель, Шо Ксавьер, Шатернік Антон Володимирович, Наудем Жак, Кабіош Тері, Мощіль Віктор Євгенович, Новіков Микола Васильович, Гавалек Вольфган, Козирєв Артем В'ячеславович
МПК: B22F 3/14, C04B 35/00
Мітки: матеріалу, надпровідного, виготовлення, нанокристалічного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення нанокристалічного надпровідного матеріалу із магнію і бору (у співвідношенні 1:2) і добавками титану (1-10 %), який відрізняється тим, що синтез проводять із суміші порошків вихідних речовин в умовах високого тиску (1-3 ГПа) і температури (700-1100 °C) протягом 20-120 хв, одержаний матеріал містить диборид магнію, оксид магнію, гідрид титану, диборид титану, титан і магній в співвідношенні компонентів,...
Спосіб одержання високотемпературного надпровідного покриття
Номер патенту: 19993
Опубліковано: 25.12.1997
Автори: Чергінець Віктор Леонідович, Семиноженко Володимир Петрович, Демірська Ольга Вікторівна, Хайлова Олена Генадіївна, Іщук Валерій Максимович, Боярчук Тетяна Павлівна
МПК: H01L 39/12, C23C 18/00, C23C 28/02 ...
Мітки: одержання, покриття, високотемпературного, надпровідного, спосіб
Формула / Реферат:
Способ получения высокотемпературного сверхпроводящегопокрытия, предусматривающий приготовление исходного раствора солей металлов-компонентов высокотемпературного сверхпроводящего соединения и многоосновных органических кислот в многоатомном спирте, нанесение его на подложку с последующим термическим разложением нанесенного слоя и отжигом, отличающийся тем, что исходный раствор готовят смешиванием водного раствора нитратов...
Металеві монокристали з високою температурою надпровідного переходу
Номер патенту: 15151
Опубліковано: 30.06.1997
Автори: Скороход Валерій Володимирович, Солонін Сергій Михайлович, Колесніченко Валерій Григорович, Бродовий Олександр Володимирович
МПК: C30B 30/00
Мітки: температурою, монокристали, металеві, переходу, надпровідного, високою
Формула / Реферат:
1. Металлические монокристаллы с высокой температурой сверхпроводящего перехода с целенаправленно генерированными структурными дефектами, отличающиеся тем, что эти дефекты представляют собой нарушения сплошности металла и являются квазидвумерными образованиями, обладающими свободной поверхностью.2. Металлические монокристаллы по п.1, отличающиеся тем, что линейный размер структурных дефектов составляет 1-5 мкм, а их концентрация в...
Спосіб обробки вісмутового надпровідного матеріалу
Номер патенту: 10982
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Атаманенко Борис Анатолійович, Гріднєва Галина Генадіївна, Мощіль Віктор Євгенович, Мельников Володимир Степанович, Пріхна Тетяна Олексіївна, Горбик Петро Петрович, Шаповалов Андрій Петрович, Дякін Віктор Васильович, Нагорний Петро Арсентійович
МПК: B22F 3/14, B22F 3/16, C04B 35/00 ...
Мітки: матеріалу, вісмутового, спосіб, обробки, надпровідного
Формула / Реферат:
Способ обработки висмутового сверхпроводящего материала состава Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O, включающий воздействие на материал высоким давлением и температурой, отличающийся тем, что воздействие давлением и температурой проводят одновременно при следующих режимах: давление Р = 1-3 ГПа, температура Т = 993-1053К, время 10-20 минут.