Патенти з міткою «p-i-n-діод»
Надвисокочастотний p-i-n-діод з карбіду кремнію
Номер патенту: 46834
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Личман Кирило Олексійович, Кривуца Валентин Антонович, Уріцкая Надія Ярославівна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Голинная Тетяна Іванівна
МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...
Мітки: надвисокочастотний, кремнію, p-i-n-діод, карбіду
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...