Личман Кирило Олексійович
Нвч параметричний діод на бар’єрі шотткі
Номер патенту: 51493
Опубліковано: 26.07.2010
Автори: Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Басанець Володимир Васильович, Кривуца Валентин Антонович, Веремійченко Георгій Микитович, Личман Кирило Олексійович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 23/48
Мітки: параметричний, шотткі, нвч, бар'єри, діод
Формула / Реферат:
НВЧ параметричний діод на бар'єрі Шотткі, який містить в собі осесиметричну напівпровідникову структуру з областями n і n+, бар'єр Шотткі, сформований зі сторони n-шару, омічний контакт, який виконаний до сторони n+, контактуючі з'єднувальні шари, які нанесені на омічний контакт та на шар, який утворює з поверхнею n бар'єр Шотткі, який відрізняється тим, що напівпровідникова структура виконана з карбіду кремнію, а між шаром омічного контакту...
Надвисокочастотний перемикаючий пристрій
Номер патенту: 50180
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Крицька Тетяна Володимирівна, Зоренко Александр Вольтович, Гуцул Антон Вікторович, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: H03K 17/00
Мітки: пристрій, перемикаючий, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний перемикаючий пристрій, що містить в собі металевий корпус, забезпечений коаксіальними вводом та виводом енергії, вводом живлення постійної напруги, закріплену всередині корпуса металізовану діелектричну підкладинку з чотирма мікросмужковими відрізками передавальної лінії та послідовно ввімкненими між ними р-і-n діодами, фільтрами, які розв'язують лінію передачі від джерела живлення, два співвісні коаксіально-мікросмужкові...
Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою
Номер патенту: 49867
Опубліковано: 11.05.2010
Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Коростинська Тамара Васильовна
МПК: H01L 29/00
Мітки: лавинно-пролітний, контактною, системою, термостійкою, діод
Формула / Реферат:
Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою, який виконано у вигляді кремнієвої мезаструктури типу р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані контактні системи, які складаються з дисиліциду паладію, послідовно нанесених тонких адгезійних шарів титану та контактуючих шарів платини або паладію, сполучних шарів з плівок золота, який відрізняється тим, що між шарами р+ i n+ і шарами силіциду паладію сформовані низькоомні шари...
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод
Номер патенту: 48718
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Личман Кирило Олексійович, Суворова Лідія Михайлівна, Басанець Володимир Васильович, Кривуца Валентин Антонович
МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...
Мітки: р-i-n, кремнієвий, діод, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...
Надвисокочастотний p-i-n-діод з карбіду кремнію
Номер патенту: 46834
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Голинная Тетяна Іванівна, Веремійченко Георгій Микитович, Кривуца Валентин Антонович, Уріцкая Надія Ярославівна, Басанець Володимир Васильович
МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...
Мітки: кремнію, p-i-n-діод, карбіду, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...
Напівпровідниковий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 43851
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Уріцкая Надія Ярославівна, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Веремійченко Георгій Микитович, Голинная Тетяна Іванівна, Басанець Володимир Васильович, Кривуца Валентин Антонович
МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...
Мітки: діод, надвисокочастотний, напівпровідниковий, p-і-n
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 30533
Опубліковано: 25.02.2008
Автори: Суворова Лідія Михайлівна, Ніколаєнко Юрій Григорович, Кривуца Валентин Антонович, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович
МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...
Мітки: надвисокочастотний, кремнієвий, p-і-n, безкорпусний, діод
Формула / Реферат:
1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...