Кривуца Валентин Антонович
Датчик температури
Номер патенту: 93207
Опубліковано: 25.09.2014
Автори: Кривуца Валентин Антонович, Конакова Раїса Василівна, Холевчук Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Шеремет Володимир Миколайович, Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Мітін Вадим Федорович, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: G01K 1/00
Мітки: температури, датчик
Формула / Реферат:
1. Датчик для вимірювання температури, виготовлений у вигляді чипа, що містить в собі чутливий шар напівпровідникового матеріалу з омічними контактами, корпус якого складається з основи та кришки, електричних виводів для монтажу в вимірювальних колах, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконаний у вигляді епітаксійної плівки SiC, вирощеної на підкладці сапфіру, причому до сторони SiC сформовані омічні контакти Ті-Мо-Au, які мають...
Нвч параметричний діод на бар’єрі шотткі
Номер патенту: 51493
Опубліковано: 26.07.2010
Автори: Басанець Володимир Васильович, Личман Кирило Олексійович, Веремійченко Георгій Микитович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Кривуца Валентин Антонович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 23/48
Мітки: нвч, діод, бар'єри, параметричний, шотткі
Формула / Реферат:
НВЧ параметричний діод на бар'єрі Шотткі, який містить в собі осесиметричну напівпровідникову структуру з областями n і n+, бар'єр Шотткі, сформований зі сторони n-шару, омічний контакт, який виконаний до сторони n+, контактуючі з'єднувальні шари, які нанесені на омічний контакт та на шар, який утворює з поверхнею n бар'єр Шотткі, який відрізняється тим, що напівпровідникова структура виконана з карбіду кремнію, а між шаром омічного контакту...
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод
Номер патенту: 48718
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Басанець Володимир Васильович, Суворова Лідія Михайлівна, Веремійченко Георгій Микитович, Кривуца Валентин Антонович, Личман Кирило Олексійович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...
Мітки: кремнієвий, р-i-n, діод, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...
Надвисокочастотний p-i-n-діод з карбіду кремнію
Номер патенту: 46834
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Голинная Тетяна Іванівна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Личман Кирило Олексійович, Уріцкая Надія Ярославівна, Кривуца Валентин Антонович
МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...
Мітки: кремнію, карбіду, надвисокочастотний, p-i-n-діод
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...
Напівпровідниковий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 43851
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Уріцкая Надія Ярославівна, Кривуца Валентин Антонович, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Голинная Тетяна Іванівна, Личман Кирило Олексійович, Басанець Володимир Васильович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: p-і-n, надвисокочастотний, діод, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 30533
Опубліковано: 25.02.2008
Автори: Кривуца Валентин Антонович, Ніколаєнко Юрій Григорович, Болтовець Микола Силович, Суворова Лідія Михайлівна, Личман Кирило Олексійович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: діод, кремнієвий, p-і-n, надвисокочастотний, безкорпусний
Формула / Реферат:
1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...