Голинная Тетяна Іванівна
Надвисокочастотний p-i-n-діод з карбіду кремнію
Номер патенту: 46834
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Кривуца Валентин Антонович, Болтовець Микола Силович, Голинная Тетяна Іванівна, Басанець Володимир Васильович, Личман Кирило Олексійович, Уріцкая Надія Ярославівна, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: H01L 21/04, H01L 29/86, H01L 21/02 ...
Мітки: карбіду, кремнію, надвисокочастотний, p-i-n-діод
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...
Напівпровідниковий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 43851
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Басанець Володимир Васильович, Кривуца Валентин Антонович, Личман Кирило Олексійович, Голинная Тетяна Іванівна, Уріцкая Надія Ярославівна, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...
Мітки: надвисокочастотний, напівпровідниковий, діод, p-і-n
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...