Патенти з міткою «периферійною»
Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю
Номер патенту: 2748
Опубліковано: 16.08.2004
Автори: Тетерьвова Наталія Олексіївна, Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович, Рачинський Любомир Ярославович
МПК: H01L 21/208
Мітки: кристал, периферійною, приладу, напівпровідникового, наскрізною, р-областю
Формула / Реферат:
1. Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю, який складається з багатошарової структури не менш як з одним горизонтальним р-n переходом, яка оточена ззовні замкненою наскрізною периферійною р-областю на основі перекристалізованого кремнію, що є суміжною з нижньою р-областю і створює з шаром вихідного кремнію вертикальний р-n перехід, а також з верхнього і нижнього контактів і замкненої області пасивації...