Рачинський Любомир Ярославович
Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю
Номер патенту: 2748
Опубліковано: 16.08.2004
Автори: Полухін Олексій Степанович, Рачинський Любомир Ярославович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Солодовнік Анатолій Іванович
МПК: H01L 21/208
Мітки: напівпровідникового, кристал, периферійною, р-областю, приладу, наскрізною
Формула / Реферат:
1. Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю, який складається з багатошарової структури не менш як з одним горизонтальним р-n переходом, яка оточена ззовні замкненою наскрізною периферійною р-областю на основі перекристалізованого кремнію, що є суміжною з нижньою р-областю і створює з шаром вихідного кремнію вертикальний р-n перехід, а також з верхнього і нижнього контактів і замкненої області пасивації...
Спосіб виготовлення кристалу кремнієвого напівпровідникового приладу з відокремлюючими областями
Номер патенту: 45871
Опубліковано: 15.04.2002
Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Копаєва Ольга Вікторівна, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Рачинський Любомир Ярославович, Полухін Олексій Степанович
МПК: H01L 21/22, H01L 21/383
Мітки: напівпровідникового, кремнієвого, виготовлення, приладу, спосіб, відокремлюючими, областями, кристалу
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...
Симістор
Номер патенту: 16566
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Євсеєв Юрій Олексійович, Думаневич Анатолій Миколайович, Тетерьва Наталія Олексіївна, Рачинський Любомир Ярославович
МПК: H01L 29/747
Мітки: симістор
Формула / Реферат:
1. Симистор, содержащий n-p-n-p-n-структуру с контактами к основным и n- и р-эмиттерным слоям и к области управления, в котором проекции n-эмиттерных слоев на противоположных поверхностях структуры за пределами области управления не перекрываются, область р-типа управления, расположенная на верхней поверхности, охвачена частично областью n-типа управления, проекция которой попадает на n-эмиттерный слой, расположенный на нижней поверхности,...