Патенти з міткою «р-областю»

Номер патенту: 2748

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Полухін Олексій Степанович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Солодовнік Анатолій Іванович, Рачинський Любомир Ярославович

МПК: H01L 21/208

Мітки: наскрізною, приладу, напівпровідникового, периферійною, кристал, р-областю

Формула / Реферат:

1. Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю, який складається з багатошарової структури не менш як з одним горизонтальним р-n переходом, яка оточена ззовні замкненою наскрізною периферійною р-областю на основі перекристалізованого кремнію, що є суміжною з нижньою р-областю і створює з шаром вихідного кремнію вертикальний р-n перехід, а також з верхнього і нижнього контактів і замкненої області пасивації...