Тетерьвова Наталія Олексіївна

Номер патенту: 2748

Опубліковано: 16.08.2004

Автори: Тетерьвова Наталія Олексіївна, Рачинський Любомир Ярославович, Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/208

Мітки: р-областю, кристал, наскрізною, напівпровідникового, приладу, периферійною

Формула / Реферат:

1. Кристал напівпровідникового приладу з наскрізною периферійною р-областю, який складається з багатошарової структури не менш як з одним горизонтальним р-n переходом, яка оточена ззовні замкненою наскрізною периферійною р-областю на основі перекристалізованого кремнію, що є суміжною з нижньою р-областю і створює з шаром вихідного кремнію вертикальний р-n перехід, а також з верхнього і нижнього контактів і замкненої області пасивації...

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Копаєва Ольга Вікторівна, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Полухін Олексій Степанович, Рачинський Любомир Ярославович

МПК: H01L 21/383, H01L 21/22

Мітки: спосіб, виготовлення, напівпровідникового, відокремлюючими, областями, кремнієвого, кристалу, приладу

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...