Патенти з міткою «pi-cdchihgiota-chite»

Номер патенту: 11657

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Єргаков Валерій Костянтинович, Любченко Олексій Вікторович, Сальков Євген Андрійович, Маловічко Ельза Олександрівна, Волков Юрій Миколайович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: одержання, матеріалу, напівпровідникового, pi-cdchihgiota-chite, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения полупроводникового материала n-CdxHg1-xTe с заданным временем жизни электронов путем изменения концентрации центров рекомбинации, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и обеспечения обратимости управления временем жизни, в мате­риале состава х=0,22 с концентрацией электронов n<1015 см-3 при температуре Т=77 К в качестве центров рекомбинации используют двухзарядные вакансии ртути, изменение...