Маловічко Ельза Олександрівна
Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу pi-cdchihgiota-chite
Номер патенту: 11657
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Курбанов Курбан Рамазанович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Сальков Євген Андрійович, Любченко Олексій Вікторович, Єргаков Валерій Костянтинович, Волков Юрій Миколайович, Маловічко Ельза Олександрівна
МПК: H01L 31/0264
Мітки: матеріалу, одержання, pi-cdchihgiota-chite, спосіб, напівпровідникового
Формула / Реферат:
1. Способ получения полупроводникового материала n-CdxHg1-xTe с заданным временем жизни электронов путем изменения концентрации центров рекомбинации, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и обеспечения обратимости управления временем жизни, в материале состава х=0,22 с концентрацией электронов n<1015 см-3 при температуре Т=77 К в качестве центров рекомбинации используют двухзарядные вакансии ртути, изменение...