Єргаков Валерій Костянтинович

Номер патенту: 11659

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Сальков Євген Андрійович, Баранський Петро Іванович, Мисливець Ксенія Артурівна, Любченко Олексій Вікторович, Єргаков Валерій Костянтинович, Курбанов Курбан Рамазанович, Оліх Ярослав Михайлович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Лукинський Юрій Леонідович

МПК: H01L 21/463, H01L 21/26

Мітки: параметрами, електрофізичними, спосіб, а11в1, керування, напівпровідникових, типу, сполук

Формула / Реферат:

1. Способ управления электрофизическими параметрами полупроводниковых соединений типа АІ ВVI, включающий ультразвуковое воздействие интенсивностью 102 - 2-103 Вт/ч2 на образец соединения и последующее химическое удаление приповерхностного нарушенного слоя на глубину 5-10 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности управления концентраций, подвижностью и временем жизни носителей заряда в соединениях Cdxtg1-k Te состава...

Номер патенту: 11657

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Маловічко Ельза Олександрівна, Сальков Євген Андрійович, Любченко Олексій Вікторович, Єргаков Валерій Костянтинович, Курбанов Курбан Рамазанович, Карачевцева Людмила Анатольєвна, Волков Юрій Миколайович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: матеріалу, одержання, напівпровідникового, pi-cdchihgiota-chite, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения полупроводникового материала n-CdxHg1-xTe с заданным временем жизни электронов путем изменения концентрации центров рекомбинации, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и обеспечения обратимости управления временем жизни, в мате­риале состава х=0,22 с концентрацией электронов n<1015 см-3 при температуре Т=77 К в качестве центров рекомбинации используют двухзарядные вакансии ртути, изменение...